Authors: Meneghini, MatteoAff5, Chowdhury, SrabantiAff6, Derluyn, JoffAff7, Medjdoub, FaridAff8, Ji, DongAff6, Chun, JaeyiAff6, Kabouche, RiadAff8, De Santi, CarloAff5, Zanoni, EnricoAff5, Meneghesso, GaudenzioAff5
Contributors: Merkle, Dieter, Managing EditorAff1, Rudan, Massimo, editorAff2, Brunetti, Rossella, editorAff3, Reggiani, Susanna, editorAff4
Superior Title: Springer Handbook of Semiconductor Devices. :525-578
Contributors: Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes LAAS, WIde baNd gap materials and Devices - IEMN WIND - IEMN, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système IMS, Université Toulouse III - Paul Sabatier UT3, Équipe Microondes et Opto-microondes pour Systèmes de Télécommunications LAAS-MOST
File Description: application/octet-stream
Relation: 2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS); IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2023); http://hdl.handle.net/20.500.12210/84486
Contributors: Electronic Components and Systems for European Leadership
Superior Title: Applied Physics Express ; volume 17, issue 1, page 016503 ; ISSN 1882-0778 1882-0786
Availability: https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad106c
Authors: Chi, Zeyu, Tchelidze, Tamar, Sartel, Corinne, Gamsakhurdashvili, Tsotne, Madaci, Ismail, Yamano, Hayate, Sallet, Vincent, Dumont, Yves, Pérez-Tomas, Amador, Medjdoub, Farid, Chikoidze, Ekaterine
Contributors: Groupe d'Etude de la Matière Condensée (GEMAC), Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines (UVSQ)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines (UVSQ), Danube University Krems, ICN2 - Institut Catala de Nanociencia i Nanotecnologia (ICN2), Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), WIde baNd gap materials and Devices - IEMN (WIND - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), The present work is a part of “GALLIA” International Research Project, CNRS, France. GEMaCcolleagues acknowledge financial support of French National Agency of Research (ANR), project“GOPOWER”, CE-50 N0015-01. The ICN2 is funded by the CERCA programme / Generalitat deCatalunya and by the Severo Ochoa programme of the Spanish Ministry of Economy, Industry andCompetitiveness (MINECO, grant no. SEV-2017-0706)., Renatech Network, CMNF, ANR-21-CE50-0015,GOPOWER,Accélérer la démonstration du potentiel de l'Oxyde de Gallium pour les applications du domaine de l'énergie(2021)
Superior Title: ISSN: 0022-3727 ; EISSN: 1361-6463.
Subject Terms: [PHYS]Physics [physics], [SPI]Engineering Sciences [physics]
Relation: hal-03997451; https://hal.science/hal-03997451; https://hal.science/hal-03997451/document; https://hal.science/hal-03997451/file/CHI_2023_JPhysDApplPhys.pdf
Contributors: WIde baNd gap materials and Devices - IEMN (WIND - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), DGA, projet GREAT, RENATECH, CEFIPRA, Renatech Network, CMNF, ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)
Superior Title: ISSN: 0003-6951.
Subject Terms: [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Relation: hal-04224748; https://hal.science/hal-04224748; https://hal.science/hal-04224748/document; https://hal.science/hal-04224748/file/APL23-AR-07711.pdf
Authors: Elwaradi, Reda, Mehta, Jash, Ngo, Thi Huong, Nemoz, Maud, Bougerol, Catherine, Medjdoub, Farid, Cordier, Yvon
Contributors: Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UniCA), Université Côte d'Azur (UniCA), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), WIde baNd gap materials and Devices - IEMN (WIND - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Nanophysique et Semiconducteurs (NEEL - NPSC), Institut Néel (NEEL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA), Fondation Grenoble INP, ACKNOWLEDGMENTSThis work was supported by the French RENATECH Network, the project BREAKUP (French National Research Agency Grant No. ANR-17-CE05–0013), and the project HBV of the “Investissements d’Avenir” Program GaNeX (Grant No. ANR-11-LABX-0014)., Renatech Network, ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011), ANR-17-CE05-0013,BREAkuP,Matériaux à ultra large bande interdite pour les futurs applications d'électronique de puissance(2017)
Superior Title: ISSN: 0021-8979.
Subject Terms: [PHYS]Physics [physics], [SPI]Engineering Sciences [physics]
Relation: hal-04086494; https://hal.science/hal-04086494; https://hal.science/hal-04086494/document; https://hal.science/hal-04086494/file/Effects%20of%20GaN%20channel%20downscaling%20in%20AlGaN%E2%80%93GaN%20high.pdf
Authors: Carneiro, Elodie, Rennesson, Stéphanie, Tamariz, Sebastian, Harrouche, Kathia, Semond, Fabrice, Medjdoub, Farid
Contributors: WIde baNd gap materials and Devices - IEMN (WIND - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), EasyGaN, Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), RENATECH, BPI France, This research was funded by the French National grant GaNeXT ANR-11-LABX-0014, and by a BPI France aid for innovation., Renatech Network, CMNF, ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)
Superior Title: ISSN: 2079-9292 ; Electronics ; https://hal.science/hal-04164261 ; Electronics, 2023, 12 (13), ⟨10.3390/electronics12132974⟩.
Subject Terms: Trapping, load pull, GaN-on-Si, MBE, HEMT, mm-wave, [SPI]Engineering Sciences [physics]
Relation: hal-04164261; https://hal.science/hal-04164261; https://hal.science/hal-04164261/document; https://hal.science/hal-04164261/file/electronics-12-02974-v2.pdf
Authors: Harrouche, Kathia, Venkatachalam, Srisaran, Ben-Hammou, Lyes, Grandpierron, François, Okada, Etienne, Medjdoub, Farid
Contributors: WIde baNd gap materials and Devices - IEMN (WIND - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), Projet structurant DGA / CNRS GREATGANEXRenatech Network, PCMP CHOP, Renatech Network, ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)
Superior Title: ISSN: 2072-666X ; Micromachines ; https://hal.science/hal-03952213 ; Micromachines, 2023, 14 (2), pp.291. ⟨10.3390/mi14020291⟩.
Subject Terms: GaN HEMT AlGaN back barrier DIBL load-pull PAE output power density, GaN, HEMT, AlGaN back barrier, DIBL, load-pull, PAE, output power density, [SPI]Engineering Sciences [physics]
Relation: hal-03952213; https://hal.science/hal-03952213; https://hal.science/hal-03952213/document; https://hal.science/hal-03952213/file/micromachines-14-00291.pdf
Authors: Mehta, Jash, Abid, Idriss, Bassaler, Julien, Pernot, Julien, Ferrandis, Philippe, Nemoz, M, Cordier, Yvon, Rennesson, S, Tamariz, S, Semond, F, Medjdoub, Farid
Contributors: WIde baNd gap materials and Devices - IEMN WIND - IEMN, Semi-conducteurs à large bande interdite NEEL - SC2G, Université de Toulon UTLN, Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications CRHEA
Subject Terms: AlGaN-on-Si AlGaN channel UWBG HEMT
File Description: application/octet-stream
Relation: Réseau national sur GaN; Nouveau transistors à canaux AlGaN pour les applications à haute tension; e-Prime – Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy; http://hdl.handle.net/20.500.12210/80822
Authors: Carneiro, Elodie, Rennesson, Stéphanie, Tamariz, Sebastian, Harrouche, Kathia, Semond, Fabrice, Medjdoub, Farid
Contributors: WIde baNd gap materials and Devices - IEMN WIND - IEMN, Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications CRHEA, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 IEMN
File Description: application/octet-stream
Relation: Réseau national sur GaN; physica status solidi (a); http://hdl.handle.net/20.500.12210/80748
Authors: Carneiro, Elodie, Rennesson, Stéphanie, Tamariz, Sebastian, Harrouche, Kathia, Semond, Fabrice, Medjdoub, Farid
Superior Title: physica status solidi (a) ; volume 220, issue 16 ; ISSN 1862-6300 1862-6319
Subject Terms: Materials Chemistry, Electrical and Electronic Engineering, Surfaces, Coatings and Films, Surfaces and Interfaces, Condensed Matter Physics, Electronic, Optical and Magnetic Materials
Availability: https://doi.org/10.1002/pssa.202200846
Authors: Ruterana, Pierre, Chauvat, Marie, Pierre, Morales, Magali, Medjdoub, Farid, Gamarra, Piero, Dua, Christian, Delage, Sylvain
Contributors: Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique (CIMAP - UMR 6252), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut Rayonnement Matière de Saclay (DRF) (IRAMIS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Propriétés des Matériaux pour les Economies d'Energie (PM2E), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), WIde baNd gap materials and Devices - IEMN (WIND - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Alcatel-Thales III-V Lab (III-V Lab), THALES France, Alcatel-Thales III-V Lab (III-V Lab ), Alcatel-Thalès III-V lab (III-V Lab), THALES France -ALCATEL, This work was partially supported by the Region Normandie under project PLACANANO, convention 18E01651, Renatech Network, PCMP CHOP, ANR-14-CE26-0022,LHOM,Couches d'InAlN et hétérostructures optimisées pour la future génération de transistors hyperfréquences de puissance(2014), ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011), ANR-11-EQPX-0020,GENESIS,Groupe d'Etudes et de Nanoanalyses des Effets d'IrradiationS(2011), European Project: 662322,H2020,ECSEL-2014-1,OSIRIS(2015)
Superior Title: ASDAM 2022 - 14th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems ; https://hal.science/hal-03930667 ; ASDAM 2022 - 14th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, Oct 2022, Smolenice, Slovakia. pp.1-8, ⟨10.1109/ASDAM55965.2022.9966781⟩
Subject Terms: [PHYS]Physics [physics], [SPI]Engineering Sciences [physics]
Time: Smolenice, Slovakia
Relation: info:eu-repo/grantAgreement//662322/EU/Optimal SIC substR ates for Integrated Microwave and Power CircuitS/OSIRIS; hal-03930667; https://hal.science/hal-03930667; https://hal.science/hal-03930667/document; https://hal.science/hal-03930667/file/OhmiContacts%20PRuteranaAsdam2022.pdf
Authors: Meneghini, Matteo, Ng, Geok Ing, Medjdoub, Farid, Buffolo, Matteo, Warnock, Shireen, Nath, Digbijoy, Suda, Jun, Shi, Junxia, Shen, Shyh-Chiang
Superior Title: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 71, issue 3, page 1340-1343 ; ISSN 0018-9383 1557-9646
Authors: Bhargava, Gaurav, Majumdar, Shubhankar, Medjdoub, Farid
Contributors: Department of Science and Technology, Ministry of Science and Technology, India
Superior Title: IETE Journal of Research ; page 1-8 ; ISSN 0377-2063 0974-780X
Subject Terms: Electrical and Electronic Engineering, Computer Science Applications, Theoretical Computer Science
Availability: https://doi.org/10.1080/03772063.2024.2326588
Authors: Gao, ZHan, Meneghini, Matteo, Harrouche, Kathia, Kabouche, Riad, Chiocchetta, Francesca, Okada, Etienne, Rampazzo, Fabiana, De Santi, Carlo, Medjdoub, Farid, Meneghesso, Gaudenzio, Zanoni, Enrico
Superior Title: In Microelectronics Reliability August 2021 123
Authors: Abid, Idriss, Hamdaoui, Youssef, Mehta, Jash, Derluyn, Joff, Medjdoub, Farid
Contributors: WIde baNd gap materials and Devices - IEMN (WIND - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), This research was funded by the European Union’s Horizon 2020 research and innovation program (grant agreement no. 720527), Innovative Reliable Nitride-Based Power Devices (Inrel-NPower), and the ANR-11-LABX-0014 within the national network GaNeX. This work was supported by the French RENATECH national network., Renatech Network, CMNF, ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011), European Project: 720527,H2020,H2020-NMBP-2016-two-stage,InRel-NPower(2017)
Superior Title: ISSN: 2072-666X ; Micromachines ; https://hal.science/hal-03777891 ; Micromachines, 2022, III–V Compound Semiconductors and Devices, 13 (9), pp.1519. ⟨10.3390/mi13091519⟩.
Subject Terms: high-electron-mobility transistor (HEMT), GaN, normally off, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Relation: info:eu-repo/grantAgreement//720527/EU/Innovative Reliable Nitride-based Power Devices/InRel-NPower; hal-03777891; https://hal.science/hal-03777891; https://hal.science/hal-03777891/document; https://hal.science/hal-03777891/file/Abid2022_micromachines-13-01519-1.pdf
Authors: Harrouche, Kathia, Venkatachalam, Srisaran, Grandpierron, François, Okada, Etienne, Medjdoub, Farid
Contributors: WIde baNd gap materials and Devices - IEMN (WIND - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), The authors would like to acknowledge the company SOITEC Belgium for high material quality delivery. This work was supported by the French RENATECH network, the LABEXGANEX (ANR-11-LABX-0014) as well as the French Defense Procurement Agency (DGA), project GREAT, PCMP CHOP, Renatech Network, CMNF, ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)
Superior Title: ISSN: 1882-0786 ; Applied Physics Express ; https://hal.science/hal-03828718 ; Applied Physics Express, 2022, 15 (11), pp.116504. ⟨10.35848/1882-0786/ac9c46⟩.
Relation: hal-03828718; https://hal.science/hal-03828718; https://hal.science/hal-03828718/document; https://hal.science/hal-03828718/file/Harrouche%2Bet%2Bal_2022_Appl._Phys._Express_10.35848_1882-0786_ac9c46.pdf
Authors: Meneghini, Matteo, De Santi, Carlo, Abid, Idriss, Buffolo, Matteo, Cioni, Marcello, Khadar, Riyaz Abdul, Nela, Luca, Zagni, Nicolò, Chini, Alessandro, Medjdoub, Farid, Meneghesso, Gaudenzio, Verzellesi, Giovanni, Zanoni, Enrico, Matioli, Elison
Contributors: Meneghini, Matteo, De Santi, Carlo, Abid, Idri, Buffolo, Matteo, Cioni, Marcello, Khadar, Riyaz Abdul, Nela, Luca, Zagni, Nicolò, Chini, Alessandro, Medjdoub, Farid, Meneghesso, Gaudenzio, Verzellesi, Giovanni, Zanoni, Enrico, Matioli, Elison
Relation: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/wos/WOS:000762647900003; volume:130; issue:18; firstpage:1; lastpage:83; journal:JOURNAL OF APPLIED PHYSICS; https://hdl.handle.net/11380/1255364; info:eu-repo/semantics/altIdentifier/scopus/2-s2.0-85119075729
Authors: Harrouche, Kathia, Kabouche, Riad, Okada, Etienne, Medjdoub, Farid
Contributors: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), PCMP CHOP
Superior Title: WOCSDICE2021 ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03279173 ; WOCSDICE2021, Jun 2021, Bristol, United Kingdom
Subject Terms: [SPI]Engineering Sciences [physics]
Subject Geographic: Bristol, United Kingdom
Time: Bristol, United Kingdom
Relation: hal-03279173; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03279173; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03279173/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03279173/file/Harrouche_VF_template_WOCSDICE2021.pdf
Availability:
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03279173
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03279173/document
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03279173/file/Harrouche_VF_template_WOCSDICE2021.pdf
Contributors: Indian Institute of Technology Madras (IIT Madras), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA)
Superior Title:
2021 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03421537
2021 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), Dec 2021, Virtual, United States
Subject Terms: buffer traps, C-doping, subthreshold slope, transit frequency, AlGaN-GaN HEMTs, AlInN-GaN HEMTs, breakdown voltage, [SPI]Engineering Sciences [physics]
Subject Geographic: Virtual, United States
Relation: hal-03421537; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03421537; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03421537/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03421537/file/Ajay_BCICTS_2021.pdf
Availability:
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03421537
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03421537/document
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03421537/file/Ajay_BCICTS_2021.pdf