Authors: Dong, Zhenning, Andre, Yamina, Dubrovskii, Vladimir G, Bougerol, Catherine, Leroux, Christine, Ramdani, Mohammed R, Monier, Guillaume, Trassoudaine, Agnès, Castelluci, Dominique, Gil, Evelyne
Contributors: Institut Pascal (IP), SIGMA Clermont (SIGMA Clermont)-Université Clermont Auvergne 2017-2020 (UCA 2017-2020 )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ITMO University Russia, A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences Moscow (RAS), Nanophysique et Semiconducteurs (NEEL - NPSC), Institut Néel (NEEL), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Russian Science Foundation 14-22-00018, European Commission (Auvergne FEDER Funds), LabEx IMobS ANR-10-LABX-16-01, CPER
Superior Title: ISSN: 0957-4484 ; EISSN: 1361-6528 ; Nanotechnology.
Subject Terms: hydride vapor phase epitaxy, ga-catalyzed GaAs nanowires, growth mechanism, nanowire, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-01658266; https://uca.hal.science/hal-01658266; PRODINRA: 390655; WOS: 000395776700002
Authors: Dong, Zhenning, Andre, Yamina, Dubrovskii, Vladimir G, Bougerol, Catherine, Leroux, Christine, Ramdani, Mohammed R, Monier, Guillaume, Trassoudaine, Agnès, Castelluci, Dominique, Gil, Evelyne
Contributors: Institut Pascal (IP), SIGMA Clermont (SIGMA Clermont)-Université Clermont Auvergne 2017-2020 (UCA 2017-2020 )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ITMO University Russia, A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences Moscow (RAS), Nanophysique et Semiconducteurs (NEEL - NPSC), Institut Néel (NEEL), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Russian Science Foundation 14-22-00018, European Commission (Auvergne FEDER Funds), LabEx IMobS ANR-10-LABX-16-01, CPER
Superior Title: ISSN: 0957-4484 ; EISSN: 1361-6528 ; Nanotechnology.
Subject Terms: hydride vapor phase epitaxy, ga-catalyzed GaAs nanowires, growth mechanism, nanowire, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-01658266; https://uca.hal.science/hal-01658266; PRODINRA: 390655; WOS: 000395776700002
Authors: Dong, Zhenning, Andre, Yamina, Dubrovskii, Vladimir G, Bougerol, Catherine, Leroux, Christine, Ramdani, Mohammed R, Monier, Guillaume, Trassoudaine, Agnès, Castelluci, Dominique, Gil, Evelyne
Contributors: Institut Pascal (IP), SIGMA Clermont (SIGMA Clermont)-Université Clermont Auvergne 2017-2020 (UCA 2017-2020 )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ITMO University Russia, A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences Moscow (RAS), Nanophysique et Semiconducteurs (NEEL - NPSC), Institut Néel (NEEL), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Russian Science Foundation 14-22-00018, European Commission (Auvergne FEDER Funds), LabEx IMobS ANR-10-LABX-16-01, CPER
Superior Title: ISSN: 0957-4484 ; EISSN: 1361-6528 ; Nanotechnology.
Subject Terms: hydride vapor phase epitaxy, ga-catalyzed GaAs nanowires, growth mechanism, nanowire, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-01658266; https://uca.hal.science/hal-01658266; PRODINRA: 390655; WOS: 000395776700002
Authors: Dong, Zhenning, Andre, Yamina, Dubrovskii, Vladimir G, Bougerol, Catherine, Leroux, Christine, Ramdani, Mohammed R, Monier, Guillaume, Trassoudaine, Agnès, Castelluci, Dominique, Gil, Evelyne
Contributors: Institut Pascal (IP), SIGMA Clermont (SIGMA Clermont)-Université Clermont Auvergne 2017-2020 (UCA 2017-2020 )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ITMO University Russia, A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences Moscow (RAS), Nanophysique et Semiconducteurs (NEEL - NPSC), Institut Néel (NEEL), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Russian Science Foundation 14-22-00018, European Commission (Auvergne FEDER Funds), LabEx IMobS ANR-10-LABX-16-01, CPER
Superior Title: ISSN: 0957-4484 ; EISSN: 1361-6528 ; Nanotechnology.
Subject Terms: hydride vapor phase epitaxy, ga-catalyzed GaAs nanowires, growth mechanism, nanowire, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-01658266; https://uca.hal.science/hal-01658266; PRODINRA: 390655; WOS: 000395776700002
Authors: Dong, Zhenning, Andre, Yamina, Dubrovskii, Vladimir G, Bougerol, Catherine, Leroux, Christine, Ramdani, Mohammed R, Monier, Guillaume, Trassoudaine, Agnès, Castelluci, Dominique, Gil, Evelyne
Contributors: Institut Pascal (IP), SIGMA Clermont (SIGMA Clermont)-Université Clermont Auvergne 2017-2020 (UCA 2017-2020 )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ITMO University Russia, A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences Moscow (RAS), Nanophysique et Semiconducteurs (NPSC), Institut Néel (NEEL), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Aix Marseille Université (AMU), Russian Science Foundation 14-22-00018, European Commission (Auvergne FEDER Funds), LabEx IMobS ANR-10-LABX-16-01, CPER
Superior Title: ISSN: 0957-4484 ; EISSN: 1361-6528 ; Nanotechnology.
Subject Terms: hydride vapor phase epitaxy, ga-catalyzed GaAs nanowires, growth mechanism, nanowire, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-01658266; https://hal.uca.fr/hal-01658266; PRODINRA: 390655; WOS: 000395776700002