Authors: Han Li, Ding Zhang, Yuanjing Zhang, Jingyan Yu, Ihor Syvorotka, Feng Wang, Shuting Yang, Qiye Wen, Huaiwu Zhang, Qinghui Yang
Superior Title: Results in Physics, Vol 60, Iss , Pp 107625- (2024)
Subject Terms: Magneto-optical, Magnetic anisotropy, Garnet, Liquid phase epitaxy, Physics, QC1-999
File Description: electronic resource
Authors: Laura Wollesen, Paul-Antoine Douissard, Philip Cook, Pavel Loiko, Gurvan Brasse, Jérémie Margueritat, Patrice Camy, Thierry Martin, Christophe Dujardin
Superior Title: Optical Materials: X, Vol 22, Iss , Pp 100309- (2024)
Subject Terms: Liquid phase epitaxy, Thin films, Scintillation, High-density compounds, Applied optics. Photonics, TA1501-1820, Optics. Light, QC350-467
File Description: electronic resource
Authors: Tymoteusz Ciuk, Roman Kozłowski, Agata Romanowska, Andrzej Zagojski, Karolina Piętak-Jurczak, Beata Stańczyk, Krystyna Przyborowska, Dariusz Czołak, Paweł Kamiński
Superior Title: Carbon Trends, Vol 13, Iss , Pp 100303- (2023)
Subject Terms: Graphene, Epitaxy, CVD, Ion implantation, Defect levels, HRPITS, Chemistry, QD1-999
File Description: electronic resource
Authors: Alberto Binetti, Wei-Fan Hsu, Koen Schouteden, Jin Won Seo, Jean-Pierre Locquet, Maria Recaman Payo
Superior Title: Results in Physics, Vol 49, Iss , Pp 106480- (2023)
Subject Terms: V2O3, Si(111), Epitaxy, Molecular beam epitaxy, X-ray diffraction, Transmission electron microscope, Physics, QC1-999
File Description: electronic resource
Authors: Xuejing Wang, Ryan Kaufmann, Andrew C. Jones, Renjie Chen, Towfiq Ahmed, Michael T. Pettes, Paul G. Kotula, Ismail Bilgin, Yongqiang Wang, Swastik Kar, Jinkyoung Yoo
Superior Title: Materials Today Advances, Vol 19, Iss , Pp 100401- (2023)
Subject Terms: Hexagonal germanium, van der waals epitaxy, Defect engineering, Transition metal dichalcogenides, Grain boundary, Strain, Materials of engineering and construction. Mechanics of materials, TA401-492
File Description: electronic resource
Authors: Erik Ekström, Simon Hurand, Arnaud le Febvrier, Anna Elsukova, Per O.Å. Persson, Biplab Paul, Fredrik Eriksson, Geetu Sharma, Oleksandr Voznyy, Davide G. Sangiovanni, Ganpati Ramanath, Per Eklund
Superior Title: Materials & Design, Vol 229, Iss , Pp 111864- (2023)
Subject Terms: vad der Waals epitaxy, Thin films, X-ray diffraction, Electronic properties, Materials of engineering and construction. Mechanics of materials, TA401-492
File Description: electronic resource
Authors: H.D. Cho, P. Ilanchezhiyan, G. Mohan Kumar, D.J. Lee, T.W. Kang, D.Y. Kim
Superior Title: Journal of Materials Research and Technology, Vol 20, Iss , Pp 4624-4629 (2022)
Subject Terms: Topological insulator, Vapor phase epitaxy (VPE), Thin films, photoswitching, Mining engineering. Metallurgy, TN1-997
File Description: electronic resource
Authors: Kaltsounis, Thomas, Haas, Helge, Lafossas, Matthieu, Torrengo, Simona, Maurya, Vishwajeet, Buckley, Julien, Mariolle, Denis, Veillerot, Marc, Gueugnot, Alain, Mendizabal, Laurent, Cordier, Yvon, Charles, Matthew
Contributors: Université Grenoble Alpes, CEA, Leti, F-38000, Grenoble, France, Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA)
Superior Title: ISSN: 0167-9317.
Subject Terms: unintentional doping, scanning spreading resistance microscopy, Localized epitaxy, GaN-on-Si, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Relation: hal-04241129; https://hal.science/hal-04241129; https://hal.science/hal-04241129/document; https://hal.science/hal-04241129/file/TK_Characterization%20of%20unintentional%20doping%20by%20SSRM.pdf
Contributors: Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces (LMI), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-19-CE24-0007,riseMOS,Structuration de surface pour l'obtention de MOSFET en carbure de silicium à haute mobilité(2019)
Superior Title: ISSN: 0022-0248 ; Journal of Crystal Growth ; https://hal.science/hal-04186661 ; Journal of Crystal Growth, 2023, 617, pp.127294. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2023.127294⟩.
Subject Terms: Silicon carbide, Surface structure analysis, Liquid phase epitaxy, Dissolution, Step bunching, Thermal simulation, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry
Relation: hal-04186661; https://hal.science/hal-04186661; https://hal.science/hal-04186661/document; https://hal.science/hal-04186661/file/Jousseaume%20et%20al%20-%20JCG%202023.pdf
Authors: Guerboukha, Mohamed-Amine, Petit, Matthieu, Spiesser, Aurélie, Portavoce, Alain, Abbes, Omar, Heresanu, Vasile, Bertaina, Sylvain, Coudreau, Cyril, Michez, Lisa
Contributors: Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille (CINaM), Aix Marseille Université (AMU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Polytech Marseille (AMU POLYTECH), Aix Marseille Université (AMU), Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), PICS n°200835 TRANPOLSPIN (CINaM-CNRS/AIST)
Superior Title: ISSN: 0040-6090 ; Thin Solid Films ; https://hal.science/hal-04272525 ; Thin Solid Films, 2022, 761, pp.139523. ⟨10.1016/j.tsf.2022.139523⟩.
Subject Terms: Thin film, Germanide, Phase formation, epitaxy, Molecular beam epitaxy, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-04272525; https://hal.science/hal-04272525; https://hal.science/hal-04272525/document; https://hal.science/hal-04272525/file/revised_v2b.pdf
Superior Title: Alexandria Engineering Journal, Vol 60, Iss 3, Pp 3419-3427 (2021)
Subject Terms: Growth model, Molecular beam epitaxy, Meandering, Coarsening, Engineering (General). Civil engineering (General), TA1-2040
File Description: electronic resource
Authors: Jousseaume, Yann, Cauwet, François, Ferro, Gabriel
Contributors: Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces (LMI), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-19-CE24-0007,riseMOS,Structuration de surface pour l'obtention de MOSFET en carbure de silicium à haute mobilité(2019)
Superior Title: ISSN: 0022-0248 ; Journal of Crystal Growth ; https://hal.science/hal-03712777 ; Journal of Crystal Growth, 2022, 593, pp.126783. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2022.126783⟩.
Subject Terms: Semiconducting silicon compounds, Crystal morphology, Surface structure, Solubility, Convection, Liquid phase epitaxy, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry
Relation: hal-03712777; https://hal.science/hal-03712777; https://hal.science/hal-03712777/document; https://hal.science/hal-03712777/file/Jousseaume%20et%20al%20JCG%202022.pdf
Authors: Ngo, Thi Huong, Comyn, Rémi, Chenot, Sébastien, Brault, Julien, Nemoz, Maud, Vennéguès, Philippe, Damilano, Benjamin, Vézian, S., Frayssinet, Eric, Cozette, Flavien, Defrance, N., Lecourt, François, Labat, Nathalie, Maher, Hassan, Cordier, Yvon
Contributors: Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), Université Côte d'Azur (UCA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique Sherbrooke (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes Sherbrooke (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), OMMIC, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), This work was supported by French technology facility network RENATECH and the French National Research Agency (ANR) through the projects ED-GaN (ANR-16-CE24-0026) and the “Investissements d’Avenir” program GaNeX (ANR-11-LABX-0014)., Renatech Network, CMNF, ANR-16-CE24-0026,ED-GaN,Co-intégration des transistors GaN à enrichissement et à déplétion pour les circuits de communication RF de la prochaine génération(2016), ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)
Superior Title: ISSN: 0022-0248 ; Journal of Crystal Growth ; https://hal.science/hal-03741626 ; Journal of Crystal Growth, 2022, 593, pp.126779. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2022.126779⟩.
Subject Terms: Selective sublimation, Local area epitaxy, Group III-nitrides, High electron mobility transistors, [SPI]Engineering Sciences [physics]
Relation: hal-03741626; https://hal.science/hal-03741626; https://hal.science/hal-03741626/document; https://hal.science/hal-03741626/file/ThiHuongNgo_JCrystalGrowth_AAM_2022.pdf
Authors: Song, Tingfeng, Tan, Huan, Robert, Anne Claire, Estandia, Saúl, Gázquez, Jaume, Sánchez Barrera, Florencio, Fina, Ignasi
Contributors: Ministerio de Ciencia, Innovación y Universidades (España), Consejo Superior de Investigaciones Científicas (España), Fundación BBVA, China Scholarship Council, Fina, Ignasi 0000-0003-4182-6194
Subject Terms: Epitaxy, Ferroelectric, Hafnium oxide, HfO2
Relation: #PLACEHOLDER_PARENT_METADATA_VALUE#; info:eu-repo/grantAgreement/MICIU/Plan Estatal de investigación Científica y Técnica y de Innovación 2017-2020/CEX2019-000917-S; info:eu-repo/grantAgreement/MICINN/Plan Estatal de investigación Científica y Técnica y de Innovación 2021-2023/TED2021–130453B-C21; info:eu-repo/grantAgreement/MICIU/Plan Estatal de investigación Científica y Técnica y de Innovación 2017-2020/PID2020–112548RB-I00; info:eu-repo/grantAgreement/MICIU/Plan Estatal de investigación Científica y Técnica y de Innovación 2017-2020/PID2019–107727RB-I00; Applied Materials Today; Publisher's version; http://dx.doi.org/10.1016/j.apmt.2022.101621; Sí; Applied Materials Today 29: 101621 (2022); http://hdl.handle.net/10261/283548; 2-s2.0-85137119459; https://api.elsevier.com/content/abstract/scopus_id/85137119459
Availability:
https://doi.org/10.1016/j.apmt.2022.101621
http://hdl.handle.net/10261/283548
https://api.elsevier.com/content/abstract/scopus_id/85137119459
Authors: Treps, Laureline, Li, Jing, Sklénard, Benoit
Contributors: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), This projet was performed using HPC resources from GENCI-IDRIS (Grant 2021-A0110911995), European Project: 871813,H2020-EU.2.1.1. - INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies - Information and Communication Technologies (ICT) ,MUNDFAB (2020)
Superior Title: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://cea.hal.science/cea-04185024 ; Solid-State Electronics, 2022, 197, pp.108441. ⟨10.1016/j.sse.2022.108441⟩.
Subject Terms: Density Functional Theory, Epitaxy, Surface reaction, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: info:eu-repo/grantAgreement//871813/EU/Modeling Unconventional Nanoscaled Device FABrication/MUNDFAB; cea-04185024; https://cea.hal.science/cea-04185024; https://cea.hal.science/cea-04185024/document; https://cea.hal.science/cea-04185024/file/sispad_Treps_2022-rev.pdf
Authors: M. Agati, S. Boninelli, C. Calabretta, F. Mancarella, M. Mauceri, D. Crippa, M. Albani, R. Bergamaschini, L. Miglio, F. La Via
Superior Title: Materials & Design, Vol 208, Iss , Pp 109833- (2021)
Subject Terms: Silicon carbide, Hetero-epitaxy, Compliant substrates, Crystal defects, Atomic resolution scanning transmission electron microscopy, Finite-element analysis, Materials of engineering and construction. Mechanics of materials, TA401-492
File Description: electronic resource
Authors: Bérini, B., Dallocchio, M., David, A., Luders, U., Yoan, Bourlier, Rault, L., Germanicus, Rosine Coq, Prellier, Wilfrid, Dumont, Y., Demange, Valérie, Fouchet, Arnaud
Contributors: Groupe d'Etude de la Matière Condensée (GEMAC), Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines (UVSQ)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (CRISMAT), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Synthèse Caractérisation Analyse de la Matière (ScanMAT), Université de Rennes (UR)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), 37339, 39126European Commission, EC, Agence Nationale de la Recherche, ANR: ANR-17-CE08-0012, Labex, Région Bretagne, ANR-17-CE08-0012,Polynash,Substrats bas couts polycristallins et Nanofeuillets de germination(2017)
Superior Title: ISSN: 0169-4332.
Subject Terms: Combinatorial substrate epitaxy (CSE), Nanostructure (NS), SrVO3 (SVO), Strontium vanadate, Transparent conducting oxide, [CHIM]Chemical Sciences
Relation: hal-03335293; https://hal.science/hal-03335293; https://hal.science/hal-03335293/document; https://hal.science/hal-03335293/file/Berini%20et%20al%20-%202021%20-%20Morphology%20control%20of%20self-organised%20Sr3V2O8%20nanostructures.pdf
Authors: Jawher, J., Chtourou, Radhwen, Sallet, Vincent, Oueslati, Mehrez
Contributors: Research and Technology Center of Energy (CRTEn), Groupe d'Etude de la Matière Condensée (GEMAC), Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines (UVSQ)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Tunis El Manar (UTM)
Superior Title: ISSN: 0921-5107 ; EISSN: 1873-4944.
Subject Terms: AFM analysis, InAs quantum dots, Molecular beam epitaxy, Photoluminescence spectroscopy, Thermal emission and retrapping of photo-injected carriers, Very low excitation density, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-03401782; https://hal.science/hal-03401782; https://hal.science/hal-03401782/document; https://hal.science/hal-03401782/file/article%20Rihani%20may%2021%20pour%20HAL%20-V2.pdf
Authors: Delchevalrie, Julien, Saada, Samuel, Bachelet, R., Saint-Girons, Guillaume, Arnault, Jean-Charles
Contributors: Laboratoire Capteurs Diamant (CEA, LIST) (LCD (CEA, LIST)), Département Métrologie Instrumentation & Information (CEA, LIST) (DM2I (CEA, LIST)), Laboratoire d'Intégration des Systèmes et des Technologies (LIST (CEA)), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Laboratoire d'Intégration des Systèmes et des Technologies (LIST (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay, INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Edifices Nanométriques (LEDNA), Nanosciences et Innovation pour les Matériaux, la Biomédecine et l'Energie (ex SIS2M) (NIMBE UMR 3685), Institut Rayonnement Matière de Saclay (DRF) (IRAMIS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut Rayonnement Matière de Saclay (DRF) (IRAMIS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Authors would like to thank the French National Agency (ANR) and DGA for funding this work under the project DIAMWAFEL (Large and conducting DIAMondWaFers for industrial applications in power ELectronics), Grant No. ANR-15-CE08-0034., ANR-15-CE08-0034,DIAMWAFEL,Substrats de diamant conducteur pour des applications industrielles en électronique de puissance(2015)
Superior Title: ISSN: 0925-9635 ; Diamond and Related Materials ; https://hal.science/hal-03105831 ; Diamond and Related Materials, 2021, 112, pp.108246. ⟨10.1016/j.diamond.2021.108246⟩ ; https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925963521000091.
Subject Terms: Diamond heteroepitaxy, diamond, thin film, epitaxy, Iridium, Nucleation, Spectroscopic Ellipsometry, Surface morphology, surface chemistry, surface roughening, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-03105831; https://hal.science/hal-03105831; https://hal.science/hal-03105831/document; https://hal.science/hal-03105831/file/Spectroscopic%20ellipsometry.pdf
Authors: Nemoz, M., Semond, F., Rennesson, S., Leroux, M., Bouchoule, S., Patriarche, G., Zuniga-Perez, J.
Contributors: Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), ANR-16-CE24-0021,Plug-and-Bose,Laser à polaritons injecté electriquement à ultra-faible seuil(2016)
Superior Title: ISSN: 0749-6036.
Subject Terms: B1. Nitrides, B2. Semiconducting III-V materials, A3. Molecular beam epitaxy, A1. Diffusion, A1. High resolution X-ray diffraction, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-03357724; https://hal.science/hal-03357724; https://hal.science/hal-03357724/document; https://hal.science/hal-03357724/file/ForHal_SuperlatticesMicrostructure.pdf