Authors: Dudko, Iuliia, Dursap, Thomas, Lamirand, Anne, Botella, Claude, Regreny, Philippe, Danescu, Alexandre, Brottet, Solène, Bugnet, Matthieu, Walia, Sumeet, Chauvin, Nicolas, Penuelas, Jose

Contributors: INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Royal Melbourne Institute of Technology University (RMIT University), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Matériaux, ingénierie et science Villeurbanne (MATEIS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), GdR MatÉpi, ANR-10-LABX-0064,Imust,Institut for Multiscale Science and Technology : from Fundamental Physics and Chemistry to Engineering in New Material and Processes and Ecotechnologies(2010), ANR-17-CE30-0014,HEXSIGE,Propriétés de la phase hexagonale 2H du Ge et Si(2017), European Project: ECLAUSion

Superior Title: Conférence GdR MatÉpi ; https://hal.science/hal-04155534 ; Conférence GdR MatÉpi, GdR MatÉpi, Jul 2023, Paris, France

Subject Terms: Semiconductor Nanowires, Hexagonal Germanium, Molecular Beam Epitaxy, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

Subject Geographic: Paris, France

Relation: hal-04155534; https://hal.science/hal-04155534; https://hal.science/hal-04155534/document; https://hal.science/hal-04155534/file/PENUELAS_Jos%C3%A9_Axe_5.pdf

Availability: https://hal.science/hal-04155534
https://hal.science/hal-04155534/document
https://hal.science/hal-04155534/file/PENUELAS_Jos%C3%A9_Axe_5.pdf

Authors: Dudko, Iuliia, Dursap, Thomas, Lamirand, Anne, Botella, Claude, Regreny, Philippe, Danescu, Alexandre, Brottet, Solène, Bugnet, Matthieu, Walia, Sumeet, Chauvin, Nicolas, Penuelas, Jose

Contributors: INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Royal Melbourne Institute of Technology University (RMIT University), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Matériaux, ingénierie et science Villeurbanne (MATEIS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), ANR-10-LABX-0064,Imust,Institut for Multiscale Science and Technology : from Fundamental Physics and Chemistry to Engineering in New Material and Processes and Ecotechnologies(2010), ANR-17-CE30-0014,HEXSIGE,Propriétés de la phase hexagonale 2H du Ge et Si(2017), European Project: ECLAUSion

Superior Title: C'Nano 2023 ; https://hal.science/hal-04040670 ; C'Nano 2023, Mar 2023, Poitiers, France

Subject Terms: Semiconductor Nanowires, Hexagonal Germanium, Molecular Beam Epitaxy, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

Subject Geographic: Poitiers, France

Relation: hal-04040670; https://hal.science/hal-04040670

Availability: https://hal.science/hal-04040670

Authors: Dudko, Iuliia, Dursap, Thomas, Lamirand, Anne, Botella, Claude, Regreny, Philippe, Danescu, Alexandre, Brottet, Solène, Bugnet, Matthieu, Walia, Sumeet, Chauvin, Nicolas, Penuelas, Jose

Contributors: INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Royal Melbourne Institute of Technology University (RMIT University), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Matériaux, ingénierie et science Villeurbanne (MATEIS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), ANR-10-LABX-0064,Imust,Institut for Multiscale Science and Technology : from Fundamental Physics and Chemistry to Engineering in New Material and Processes and Ecotechnologies(2010), ANR-17-CE30-0014,HEXSIGE,Propriétés de la phase hexagonale 2H du Ge et Si(2017), European Project: ECLAUSion

Superior Title: FEMS EUROMAT 23 ; https://hal.science/hal-04200433 ; FEMS EUROMAT 23, Sep 2023, Francfort, Germany

Subject Terms: Semiconductor Nanowires, Hexagonal Germanium, Molecular Beam Epitaxy, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

Subject Geographic: Francfort, Germany

Relation: hal-04200433; https://hal.science/hal-04200433

Availability: https://hal.science/hal-04200433

Authors: Chauvin, Nicolas, Dudko, Iuliia, Jaffal, Ali, Dursap, Thomas, Lamirand, Anne, Botella, Claude, Regreny, Philippe, Nguyen, Hai Son, Danescu, Alexandre, Brottet, Solène, Bugnet, Matthieu, Walia, Sumeet, Gendry, Michel, Penuelas, Jose

Contributors: INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Royal Melbourne Institute of Technology University (RMIT University), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), INL - Ingénierie et conversion de lumière (i-Lum) (INL - I-Lum), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Matériaux, ingénierie et science Villeurbanne (MATEIS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), ANR-10-LABX-0064,Imust,Institut for Multiscale Science and Technology : from Fundamental Physics and Chemistry to Engineering in New Material and Processes and Ecotechnologies(2010), ANR-17-CE30-0014,HEXSIGE,Propriétés de la phase hexagonale 2H du Ge et Si(2017), European Project: ECLAUSion

Superior Title: German-French-Korean Workshop on Nanophotonics 2023 ; https://hal.science/hal-04233525 ; German-French-Korean Workshop on Nanophotonics 2023, Oct 2023, Würzburg, Germany

Subject Terms: Semiconductor Nanowires, Hexagonal Germanium, Molecular Beam Epitaxy, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

Subject Geographic: Würzburg, Germany

Relation: hal-04233525; https://hal.science/hal-04233525

Availability: https://hal.science/hal-04233525

Authors: Dudko, Iuliia, Dursap, Thomas, Lamirand, Anne, Botella, Claude, Regreny, Philippe, Danescu, Alexandre, Brottet, Solène, Bugnet, Matthieu, Walia, Sumeet, Chauvin, Nicolas, Penuelas, Jose

Contributors: INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Royal Melbourne Institute of Technology University (RMIT University), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Matériaux, ingénierie et science Villeurbanne (MATEIS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), ANR-10-LABX-0064,Imust,Institut for Multiscale Science and Technology : from Fundamental Physics and Chemistry to Engineering in New Material and Processes and Ecotechnologies(2010), ANR-17-CE30-0014,HEXSIGE,Propriétés de la phase hexagonale 2H du Ge et Si(2017), European Project: ECLAUSion

Superior Title: International workshop on hexagonal SiGe ; https://hal.science/hal-04061862 ; International workshop on hexagonal SiGe, Apr 2023, Eindhoven, Netherlands

Subject Terms: Semiconductor Nanowires, Hexagonal Germanium, Molecular Beam Epitaxy, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

Subject Geographic: Eindhoven, Netherlands

Relation: hal-04061862; https://hal.science/hal-04061862

Availability: https://hal.science/hal-04061862

Authors: Dursap, Thomas, Vettori, Marco, Danescu, Alexandre, Botella, Claude, Regreny, Philippe, Patriarche, Gilles, Michel, Gendry., Penuelas, José

Contributors: INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-18-CE05-0017,BEEP,Ingéniérie d'électrodes à base de nanofils pour la photocatalyse(2018)

Superior Title: ISSN: 2516-0230 ; Nanoscale Advances ; https://hal.science/hal-03770917 ; Nanoscale Advances, 2020, 2 (5), pp.2127-2134. ⟨10.1039/d0na00273a⟩.

Subject Terms: Spot intensities, Structural transitions, Wetting contact angles, Crystal structure, Catalysis, Catalysts, Chromium compounds, Contact angle, Drops, Gallium, Gallium arsenide, III-V semiconductors, Molecular beam epitaxy, Nanowires, Semiconducting gallium, Wetting, Zinc sulfide, Crystalline structure, Diagram analysis, Diffraction spots, Growth parameters, Semi-empirical modeling, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

Relation: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/arxiv/1912.06502; hal-03770917; https://hal.science/hal-03770917; https://hal.science/hal-03770917/document; https://hal.science/hal-03770917/file/DURSAP_VETTORI_DANESCU_2020.pdf; ARXIV: 1912.06502

Availability: https://doi.org/10.1039/d0na00273a
https://hal.science/hal-03770917
https://hal.science/hal-03770917/document
https://hal.science/hal-03770917/file/DURSAP_VETTORI_DANESCU_2020.pdf

Authors: Bellet-Amalric, E., André, Régis, Bougerol, C., den Hertog, M., Jaffal, Ali, Cibert, Joël

Contributors: Nanophysique et Semiconducteurs (NPSC), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS), Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA), Nanophysique et Semiconducteurs (NEEL - NPSC), Institut Néel (NEEL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA), Matériaux, Rayonnements, Structure (NEEL - MRS), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-11-BS10-0013,MagWires,Boîtes quantiques à base de semiconducteurs magnétiques dans des nanofils(2011), ANR-12-JS10-0002,COSMOS,Correlation du microscopie électronique en transmission avec des mesures optique et électrique effectués sur le même nanofils unique(2012), ANR-15-CE24-0029,ESPADON,Boites quantiques anisotropes pour un meilleur contrôle des spins et des photons(2015)

Superior Title: ISSN: 0957-4484.

Subject Terms: molecular beam epitaxy, steps, electron microscopy, Burton-Cabrera-Frank model, semiconductors, nanowires, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

Relation: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/arxiv/2002.12832; hal-02463801; https://hal.science/hal-02463801; https://hal.science/hal-02463801/document; https://hal.science/hal-02463801/file/preprint.pdf; ARXIV: 2002.12832

Availability: https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab849e
https://hal.science/hal-02463801
https://hal.science/hal-02463801/document
https://hal.science/hal-02463801/file/preprint.pdf

Authors: Esperonnat, Marc D

Contributors: Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Ecole Centrale de Lyon, Guillaume Saint-Girons, Romain Bachelet

Superior Title: https://theses.hal.science/tel-04132930 ; Autre. Ecole Centrale de Lyon, 2023. Français. ⟨NNT : 2023ECDL0012⟩.

Subject Terms: Sr(Ti1-xAlx)O3 solid solution, SrTiO3 cationic deviation, P-type SrTiO3, 3ω method, Molecular beam epitaxy, Thermoelectricity, Solutions solides de Sr(Ti1-xAlx)O3, Déviation cationique de SrTiO3, SrTiO3 de type p, Méthode 3ω, Epitaxie par jets moléculaires, Thermoélectricité, [SPI.OTHER]Engineering Sciences [physics]/Other

Relation: NNT: 2023ECDL0012; tel-04132930; https://theses.hal.science/tel-04132930; https://theses.hal.science/tel-04132930/document; https://theses.hal.science/tel-04132930/file/TH_2023ECDL0012.pdf

Availability: https://theses.hal.science/tel-04132930
https://theses.hal.science/tel-04132930/document
https://theses.hal.science/tel-04132930/file/TH_2023ECDL0012.pdf

Authors: Gloriès, Henri-Gabriel

Contributors: INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Ecole Centrale de Lyon, José Penuelas, Nicolas Chauvin

Superior Title: https://theses.hal.science/tel-04186177 ; Autre. Ecole Centrale de Lyon, 2023. Français. ⟨NNT : 2023ECDL0020⟩.

Subject Terms: Molecular beam epitaxy, GaAs semiconductor nanowires, Ferroelectric polymer P(VDF-TrFE), Phase-change material Sb2S3, Quantum dot, Core/Shell, Emission tunability, Photoluminescence, Epitaxie par jets moléculaires, Nanofils semi-conducteurs GaAs, Polymère ferroélectrique P(VDF-TrFE), Matériau à changement de phase Sb2S3, Boîte quantique, Cœur/Coquille, Accordabilité de l’émission, [SPI.OTHER]Engineering Sciences [physics]/Other

Relation: NNT: 2023ECDL0020; tel-04186177; https://theses.hal.science/tel-04186177; https://theses.hal.science/tel-04186177/document; https://theses.hal.science/tel-04186177/file/TH_2023ECDL0020.pdf

Availability: https://theses.hal.science/tel-04186177
https://theses.hal.science/tel-04186177/document
https://theses.hal.science/tel-04186177/file/TH_2023ECDL0020.pdf

Authors: Bouras, Mohamed, Han, Dong, Cueff, Sébastien, Bachelet, Romain, Saint-Girons, Guillaume

Contributors: INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-16-CE24-0022,Lilit,Intégration de LiNbO3 à la technologie de silicium pour des filtres RF ultra-large bande et haute fréquence(2016), ANR-17-CE05-0018,MITO,Premier micro module thermoélectrique à base d'oxydes(2017)

Superior Title: ISSN: 2330-4022 ; ACS photonics ; https://hal.science/hal-02152365 ; ACS photonics, 2019, ⟨10.1021/acsphotonics.9b00485⟩.

Subject Terms: Hyperbolic Metamaterials, Functional Oxides, Perovskite, Molecular Beam Epitaxy, Plasmonic Materials, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

Relation: hal-02152365; https://hal.science/hal-02152365; https://hal.science/hal-02152365/document; https://hal.science/hal-02152365/file/Bourasetal_AO.pdf

Availability: https://doi.org/10.1021/acsphotonics.9b00485
https://hal.science/hal-02152365
https://hal.science/hal-02152365/document
https://hal.science/hal-02152365/file/Bourasetal_AO.pdf

Authors: Vettori, Marco, Danescu, Alexandre, Guan, Xin, Regreny, P., Penuelas, José, Gendry, Michel

Contributors: INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Superior Title: ISSN: 2516-0230 ; Nanoscale Advances ; https://hal.science/hal-03770901 ; Nanoscale Advances, 2019, 1 (11), pp.4433-4441. ⟨10.1039/c9na00443b⟩.

Subject Terms: Drops, Gallium, Gallium arsenide, Gold compounds, III-V semiconductors, Kinetics, Molecular beam epitaxy, Nanowires, Semiconducting gallium, Silicon compounds, Diffusion controlled growth, Experimental conditions, Gaas nanowires, Incidence angles, Nanowires (NWs), Semi-empirical, Shape and size, Surface normals, Growth kinetics, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

Relation: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/arxiv/1907.03226; hal-03770901; https://hal.science/hal-03770901; https://hal.science/hal-03770901/document; https://hal.science/hal-03770901/file/VETTORI_DANESCU_GUAN_2019.pdf; ARXIV: 1907.03226

Availability: https://doi.org/10.1039/c9na00443b
https://hal.science/hal-03770901
https://hal.science/hal-03770901/document
https://hal.science/hal-03770901/file/VETTORI_DANESCU_GUAN_2019.pdf

Authors: Vila-Fungueiriño, José Manuel, Gázquez, Jaume, Magen, Cesar, Saint-Girons, Guillaume, Bachelet, Romain, Carretero-Genevrier, Adrián

Contributors: Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Matériaux, MicroCapteurs et Acoustique (M2A), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Fundación Agencia Aragonesa para la Investigación y el Desarrollo (ARAID), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-16-CE09-0006,Q-NOSS,Nanomateriaux à base de quartz intégrées sur silicium pour des applications capteurs(2016)

Superior Title: ISSN: 1468-6996 ; Science and Technology of Advanced Materials ; https://hal.science/hal-01896867 ; Science and Technology of Advanced Materials, 2018, 19 (1), pp.702 - 710. ⟨10.1080/14686996.2018.1520590⟩.

Subject Terms: Thin-films, functional oxides, silicon integration, chemical solution deposition, molecular beam epitaxy, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry

Relation: hal-01896867; https://hal.science/hal-01896867; https://hal.science/hal-01896867/document; https://hal.science/hal-01896867/file/Epitaxial%20La0%207Sr0%203MnO3%20thin%20films%20on%20silicon%20with%20excellent%20magnetic%20and%20electric%20properties%20by%20combining%20physical%20and%20chemical%20methods.pdf

Availability: https://doi.org/10.1080/14686996.2018.1520590
https://hal.science/hal-01896867
https://hal.science/hal-01896867/document
https://hal.science/hal-01896867/file/Epitaxial%20La0%207Sr0%203MnO3%20thin%20films%20on%20silicon%20with%20excellent%20magnetic%20and%20electric%20properties%20by%20combining%20physical%20and%20chemical%20methods.pdf

Authors: Danescu, Alexandre, Ionescu, Ioan R.

Contributors: INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux (LSPM), Institut Galilée-Université Sorbonne Paris Cité (USPC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Sorbonne Paris Nord, ANR-17-CE24-0027,PHOLDING,Cristaux photoniques "pliés" : ORIGAMI semiconducteurs(2017)

Superior Title: ISSN: 1081-2865 ; Mathematics and Mechanics of Solids ; https://hal.science/hal-03770916 ; Mathematics and Mechanics of Solids, 2020, 25 (6), pp.1247-1266. ⟨10.1177/1081286520901553⟩.

Subject Terms: Molecular beam epitaxy, Orthotropic plates, Ultrathin films, Experimental realizations, Numerical computations, Orthotropic materials, Prestressed structures, Small perturbations, Theoretical framework, Three-dimensional object, Three-dimensional shape, Strain, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

Relation: hal-03770916; https://hal.science/hal-03770916

Availability: https://doi.org/10.1177/1081286520901553
https://hal.science/hal-03770916

Authors: Moreno, Maiglid A., Chevalier, Nicolas, Barnes, Jean-Paul, Gautier, Brice

Contributors: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Superior Title: ISSN: 2166-2746.

Subject Terms: Chemical modification, Electric fields, Molecular beam epitaxy, Organic polymers, Oxygen vacancies, Scanning probe microscopy, Secondary emission, Secondary ion mass spectrometry, Sodium Aluminate, Contrast mechanism, High electric fields, Ionic migration, Kelvin force microscopy, Lanthanum aluminate, Piezoresponse force microscopy, Scanning probes, Time of flight secondary ion mass spectrometry, Lanthanum compounds, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

Relation: hal-03770918; https://hal.science/hal-03770918

Availability: https://doi.org/10.1116/6.0000114
https://hal.science/hal-03770918

Authors: Han, Dong

Contributors: INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Lyon, Guillaume Saint-Girons, Romain Bachelet

Superior Title: https://theses.hal.science/tel-03523659 ; Other. Université de Lyon, 2020. English. ⟨NNT : 2020LYSEC028⟩.

Subject Terms: Perovskite La1-xSrxCrO3 solid solution, P-type semiconductor, Thermoelectricity, Heteroepitaxial film, Molecular beam epitaxy, Solution solide de structure pérovskite La1-xSrxCrO3, Semiconducteur de type p, Thermoélectricité, Films hétéroépitaxiés, Epitaxie par jets moléculaires, [SPI.OTHER]Engineering Sciences [physics]/Other

Relation: NNT: 2020LYSEC028; tel-03523659; https://theses.hal.science/tel-03523659; https://theses.hal.science/tel-03523659/document; https://theses.hal.science/tel-03523659/file/TH_T2739_dhan.pdf

Availability: https://theses.hal.science/tel-03523659
https://theses.hal.science/tel-03523659/document
https://theses.hal.science/tel-03523659/file/TH_T2739_dhan.pdf

Authors: Celibert, V., Tranvouez, Erwan, Guillot, G., Bru-Chevallier, C., Grenouillet, L., Duvaut, P., Gilet, P., Ballet, P., Million, A.

Contributors: INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Photophysique Moléculaire (PPM), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Département d'Optronique (DOPT), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA))

Superior Title: ISSN: 0022-0248 ; Journal of Crystal Growth ; https://hal.science/hal-01976052 ; Journal of Crystal Growth, 2005, 275 (1-2), pp.e2313-e2319. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2004.11.370⟩.

Subject Terms: Nanostructures, Quantum dots, Molecular beam epitaxy, Semiconducting III–V Materials, Heterojunction semiconductor devices, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI]Engineering Sciences [physics]

Relation: hal-01976052; https://hal.science/hal-01976052; https://hal.science/hal-01976052/document; https://hal.science/hal-01976052/file/Celibert2004.pdf

Availability: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.370
https://hal.science/hal-01976052
https://hal.science/hal-01976052/document
https://hal.science/hal-01976052/file/Celibert2004.pdf

Authors: Lee, K.H., Saada, S., Tranchant, Nicolas, Arnault, Jean-Charles, Moalla, Ramah, Saint-Girons, Guillaume, Bachelet, R., Tallaire, Alexandre, Brinza, O., Achard, Jocelyn, Bensalah, H., Stenger, Ingrid, Barjon, Julien, Ricolleau, C

Contributors: Laboratoire Capteurs Diamant (CEA, LIST) (LCD (CEA, LIST)), Département Métrologie Instrumentation & Information (CEA, LIST) (DM2I (CEA, LIST)), Laboratoire d'Intégration des Systèmes et des Technologies (LIST (CEA)), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Laboratoire d'Intégration des Systèmes et des Technologies (LIST (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux (LSPM), Université Paris 13 (UP13)-Institut Galilée-Université Sorbonne Paris Cité (USPC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Groupe d'Etude de la Matière Condensée (GEMAC), Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines (UVSQ)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7), ANR-12-BS09-0001,HIRIS,Hétéroépitaxie de films de diamant sur iridium pour la dosimétrie médicale(2012)

Superior Title: SBDD XXI conference, 9-11 march 2016 ; https://hal.science/hal-01965437 ; SBDD XXI conference, 9-11 march 2016, Mar 2016, Hasselt, Belgium

Subject Terms: dense MPCVD plasma, homoepitaxy, thermal stability, crystalline quality, mosaicity, nucleation, bias enhanced nucleation (BEN), Molecular beam epitaxy (MBE), multilayer, SrTiO3 / Si (001) substrate, iridium buffer layer, heteroepitaxial diamond, microwave plasma CVD, Thin diamond film, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

Subject Geographic: Hasselt, Belgium

Relation: hal-01965437; https://hal.science/hal-01965437

Availability: https://hal.science/hal-01965437

Authors: Aouassa, Mansour, Jadli, Imen, Hassayoun, Latifa Slimen, Maaref, Hassen, Panczer, Gérard, Favre, Luc, Ronda, Antoine, Berbezier, Isabelle

Contributors: Laboratoire de Micro-optoélectronique et Nanostructures Monastir, Faculté des Sciences de Monastir (FSM), Université de Monastir - University of Monastir (UM)-Université de Monastir - University of Monastir (UM), Institut Lumière Matière Villeurbanne (ILM), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Superior Title: ISSN: 0749-6036.

Subject Terms: Molecular beam epitaxy, Transmission electron microscopy, Porous silicon, Raman spectroscopy, Ge growth, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]

Relation: hal-01811396; https://hal.science/hal-01811396

Availability: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2017.10.003
https://hal.science/hal-01811396

Authors: Ferrah, D., El Kazzi, M., Niu, G., Botella, Claude, Penuelas, J., Robach, Y., Louahadj, L., Bachelet, Romain, Largeau, L., Saint-Girons, G., Liu, Q., Vilquin, B., Grenet, G.

Contributors: INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Superior Title: ISSN: 0022-0248 ; Journal of Crystal Growth ; https://hal.science/hal-01848746 ; Journal of Crystal Growth, 2015, 416, pp.118 - 125. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2015.02.001⟩.

Subject Terms: A3. Molecular beam epitaxy, A1. Surface structure, B1. Oxides, B1. Metals, B1. Nanomaterials, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]

Relation: hal-01848746; https://hal.science/hal-01848746

Availability: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.02.001
https://hal.science/hal-01848746

Authors: Comyn, Rémi

Contributors: Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), Université Côte d'Azur, Université de Sherbrooke, Yvon Cordier, Vincent Aimez, Hassan Maher

Superior Title: https://theses.hal.science/tel-01449243 ; Physique [physics]. Université Côte d'Azur; Université de Sherbrooke, 2016. Français. ⟨NNT : ⟩.

Subject Terms: Monolithic integration, Gallium nitride (GaN), High-electron-mobility transistors (HEMTs), CMOS circuits, Molecular beam epitaxy (MBE), Co-intégration, Nitrure de Gallium (GaN), Transistor à haute mobilité électronique (HEMT), Circuits CMOS, Épitaxie sous jets moléculaires, [PHYS]Physics [physics]

Relation: tel-01449243; https://theses.hal.science/tel-01449243; https://theses.hal.science/tel-01449243/document; https://theses.hal.science/tel-01449243/file/Comyn-Remi_Doctorat_2016.pdf

Availability: https://theses.hal.science/tel-01449243
https://theses.hal.science/tel-01449243/document
https://theses.hal.science/tel-01449243/file/Comyn-Remi_Doctorat_2016.pdf