Authors: Zaiter, Aly, Nikitskiy, Nikita, Nemoz, Maud, Vuong, Phuong, Ottapilakkal, Vishnu, Sundaram, Suresh, Ougazzaden, Abdallah, Brault, Julien
Contributors: Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)
Superior Title: ISSN: 2079-4991.
Subject Terms: deep ultra-violet emission molecular beam epitaxy nitrides wide bandgap materials boron nitride aluminium gallium nitride quantum dots X-ray diffraction photoluminescence atomic force microscopy, deep ultra-violet emission, molecular beam epitaxy, nitrides, wide bandgap materials, boron nitride, aluminium gallium nitride, quantum dots, X-ray diffraction, photoluminescence, atomic force microscopy, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics]
Relation: hal-04234489; https://hal.science/hal-04234489; https://hal.science/hal-04234489/document; https://hal.science/hal-04234489/file/%282023%29-nanomaterials-13-02404-v2.pdf
Authors: Zaiter, Aly, Michon, Adrien, Nemoz, Maud, Courville, Aimeric, Vennéguès, Philippe, Ottapilakkal, Vishnu, Vuong, Phuong, Sundaram, Suresh, Ougazzaden, Abdallah, Brault, Julien
Contributors: Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Georgia Institute of Technology Atlanta, ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)
Superior Title: ISSN: 1996-1944 ; Materials ; https://hal.science/hal-04234450 ; Materials, 2022, 15 (23), pp.8602. ⟨10.3390/ma15238602⟩.
Subject Terms: molecular beam epitaxy nitrides wide bandgap materials aluminum nitride boron nitride postgrowth annealing X-ray diffraction atomic force microscopy transmission electron microscopy, molecular beam epitaxy, nitrides, wide bandgap materials, aluminum nitride, boron nitride, postgrowth annealing, X-ray diffraction, atomic force microscopy, transmission electron microscopy, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-04234450; https://hal.science/hal-04234450; https://hal.science/hal-04234450/document; https://hal.science/hal-04234450/file/%282022%29-materials-15-08602-v3.pdf
Authors: Bartasyte, Ausrine, Oliveri, Stefania, Boujnah, Sondes, Margueron, Samuel, Bachelet, Romain, Saint-Girons, Guillaume, Albertini, David, Gautier, Brice, Boulet, Pascal, Nuta, Ioana, Blanquet, Elisabeth, Astié, Vincent, Decams, Jean-Manuel
Contributors: Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (UMR 6174) (FEMTO-ST), Université de Technologie de Belfort-Montbeliard (UTBM)-Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques (ENSMM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Institut universitaire de France (IUF), Ministère de l'Education nationale, de l’Enseignement supérieur et de la Recherche (M.E.N.E.S.R.), INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE), Institut Jean Lamour (IJL), Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Université de Lorraine (UL)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP), Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA), ANR-16-CE24-0022,Lilit,Intégration de LiNbO3 à la technologie de silicium pour des filtres RF ultra-large bande et haute fréquence(2016)
Superior Title: ISSN: 0957-4484.
Subject Terms: LiNbO3 films, epitaxy, silicon, CVD, MBE, BAW, electro-active devices, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Relation: hal-04396804; https://hal.science/hal-04396804; https://hal.science/hal-04396804/document; https://hal.science/hal-04396804/file/Bartasyte%2Bet%2Bal_2024_Nanotechnology_10.1088_1361-6528_ad1b98.pdf
Authors: Duverger, Eric, Riedel, Damien
Contributors: Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Institut des Sciences Moléculaires d'Orsay (ISMO), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Superior Title: EISSN: 2633-5409 ; Materials Advances ; https://hal.science/hal-03750744 ; Materials Advances, 2022
Subject Terms: Insulating layer, silicon, nano ribbons, scanning tunneling microscopy, molecular electronics, epitaxy, CaF2, periodicity, [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-03750744; https://hal.science/hal-03750744; https://hal.science/hal-03750744/document; https://hal.science/hal-03750744/file/ARXIV_2207.07502-1.pdf
Availability:
https://hal.science/hal-03750744
https://hal.science/hal-03750744/document
https://hal.science/hal-03750744/file/ARXIV_2207.07502-1.pdf
Authors: Karrakchou, Soufiane, Sundaram, Suresh, Gujrati, Rajat, Vuong, Phuong, Mballo, Adama, Adjmi, Hibat, Ottapilakkal, Vishnu, El Huni, Walid, Bouzid, Karim, Patriarche, Gilles, Ahaitouf, Ali, Voss, Paul, Salvestrini, Jean-Paul, Ougazzaden, Abdallah
Contributors: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), ANR Labex Ganex, ANR INMOST, ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011), ANR-19-CE08-0025,INMoSt,Cellules solaires multi-jonctions multi-fils à base de nano-pyramides d'InGaN(2019)
Superior Title: ISSN: 2637-6113 ; ACS Applied Electronic Materials ; https://hal.science/hal-03350389 ; ACS Applied Electronic Materials, 2021, 3 (6), pp.2614-2621. ⟨10.1021/acsaelm.1c00206⟩.
Subject Terms: flexible III-N optoelectronics, free-standing III-N membranes, van der Waals epitaxy, thermomechanical self-lift-off and transfer, 2D h-BN, vertical thin-film LEDs, [SPI]Engineering Sciences [physics]
Relation: hal-03350389; https://hal.science/hal-03350389; https://hal.science/hal-03350389/document; https://hal.science/hal-03350389/file/ACS-applied-electronic-materials-Manuscript-final-corrected-second-revision.pdf
Authors: Vuong, P., Mballo, A., Sundaram, S., Patriarche, G., Halfaya, Y., Karrakchou, S., Srivastava, A., Krishnan, K., Sama, N., Ayari, T., Gautier, S., Voss, P., Ougazzaden, A., Salvestrini, Jean-Paul
Contributors: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-15-IDEX-0004,LUE,Isite LUE(2015), ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)
Superior Title: ISSN: 0003-6951.
Subject Terms: Materials science, Scanning electron microscopy, High resolution X-ray diffraction, Morphology studies, Epitaxy, Transmission electron microscopy, Alloys, Optical electronics, Secondary ion mass spectroscopy, Energy dispersive X-ray spectroscopy, [SPI]Engineering Sciences [physics]
Relation: hal-02464319; https://hal.science/hal-02464319; https://hal.science/hal-02464319/document; https://hal.science/hal-02464319/file/Vuong2020.pdf
Authors: Ayari, Taha, Sundaram, Suresh, Li, Xin, Alam, Saiful, Bishop, Chris, El Huni, Walid, Jordan, Matthew, Halfaya, Yacine, Gautier, Simon, Voss, Paul, Ougazzaden, Abdallah, Salvestrini, Jean-Paul
Contributors: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Institut Lafayette, ANR-15-IDEX-0004,LUE,Isite LUE(2015)
Superior Title: ISSN: 2330-4022 ; ACS photonics ; https://hal.science/hal-02158426 ; ACS photonics, 2018, 5 (8), pp.3003-3008. ⟨10.1021/acsphotonics.8b00663⟩.
Subject Terms: photovoltaics, Heterogeneous integration, Van der Waal epitaxy, 2D h-BN, InGaN solar cells, [SPI]Engineering Sciences [physics], [PHYS]Physics [physics]
Relation: hal-02158426; https://hal.science/hal-02158426; https://hal.science/hal-02158426/document; https://hal.science/hal-02158426/file/ayari2018.pdf
Authors: Puybaret, Renaud, Rogers, David, Gmili, Youssef El, Sundaram, Suresh, Jordan, Matthew, B, Li, Xin, Patriarche, Gilles, Teherani, Ferechteh, Sandana, Eric, Bove, Philippe, Voss, Paul, B, Mcclintock, Ryan, Razeghi, Manijeh, Ferguson, Ian, Salvestrini, Jean-Paul, Ougazzaden, Abdallah
Contributors: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Nanovation SARL, Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Northwestern University Evanston, Missouri University of Science and Technology (Missouri S&T), University of Missouri System
Superior Title: ISSN: 0957-4484.
Subject Terms: InGaN, nano selective area growth (NSAG), metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE), [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Relation: hal-01830993; https://hal.science/hal-01830993; https://hal.science/hal-01830993/document; https://hal.science/hal-01830993/file/Pubaret2017.pdf
Authors: Ougazzaden, Abdallah, Sundaram, Suresh, Vuong, Phuong, Mballo, Adama, Patriarche, Gilles, Srivastava, Ashutosh, Ahaitouf, Ali, Gautier, Simon, Moudakir, Tarik, Voss, Paul, Salvestrini, Jean-Paul
Contributors: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), ANR Labex Ganex, ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011), ANR-10-EQPX-0050,TEMPOS,Microscopie electronique en transmission sur le plateau Palaiseau Orsay Saclay(2010)
Superior Title: Gallium Nitride Materials and Devices XVI ; https://hal.science/hal-03350528 ; Gallium Nitride Materials and Devices XVI, Mar 2021, Online Only, 11686, SPIE, pp.39, 2021, ⟨10.1117/12.2584985⟩
Subject Terms: Epitaxy, Optoelectronic devices, Field effect transistors, Heterojunctions, Light emitting diodes, Photodetectors, Sensors, [SPI]Engineering Sciences [physics]
Relation: hal-03350528; https://hal.science/hal-03350528
Authors: Li, Xin, Le Gac, G., Bouchoule, Sophie, El-Gmili, Youssef, Patriarche, G., Sundaram, Suresh, Disseix, Pierre, Reveret, François, Leymarie, Joël, Streque, Jérémy, Salvestrini, Jean-Paul, Genty, F., Dupuis, Russell, D., Li, X.-H., Voss, Paul, L., Ougazzaden, Abdallah
Contributors: School of Electrical and Computer Engineering - Georgia Insitute of Technology (ECE GeorgiaTech), Georgia Institute of Technology Atlanta, Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Institut Pascal (IP), Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand 2 (UBP)-SIGMA Clermont (SIGMA Clermont)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (LMOPS), CentraleSupélec-Université de Lorraine (UL), Center for Compound Semiconductors and School of Electrical and Computer Engineering, ANR-11-BS03-0012,VESUVE,LASER A CAVITE VERTICALE EMETTANT PAR LA SURFACE DANS LA GAMME DE L'ULTRA-VIOLET(2011)
Superior Title: ISSN: 0022-0248 ; Journal of Crystal Growth ; https://hal.science/hal-01212591 ; Journal of Crystal Growth, 2015, 432, pp.37-44. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2015.09.013⟩.
Subject Terms: Defects, Metalorganic vapor phase epitaxy, Quantum wells, III-nitrides, DUV devices, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-01212591; https://hal.science/hal-01212591; https://hal.science/hal-01212591/document; https://hal.science/hal-01212591/file/li2015.pdf
Authors: Ougazzaden, A., J. Rogers, D., Hosseini Teherani, F., Orsal, G., Moudakir, T., Gautier, S., E. Sandana, V., Jomard, F., Abid, M., Molinari, M., Troyon, M., L. Voss, P., Mcgrouther, D., N. Chapman, J.
Contributors: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Nanovation SARL, Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (LMOPS), CentraleSupélec-Université de Lorraine (UL), Groupe d'Etude de la Matière Condensée (GEMAC), Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines (UVSQ)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Microscopies et d'Etude de Nanostructures (lmen), Université de Reims Champagne-Ardenne (URCA), Department of Physics and Astronomy Glasgow
Superior Title: Proceeding of SPIE ; Proceedings SPIE ; SPIE Photonic West ; https://hal.science/hal-00554294 ; SPIE Photonic West, Jan 2010, San Francisco, United States. pp.76031D-1, ⟨10.1117/12.846664⟩
Subject Terms: metalorganic vapour phase epitaxy, InGaN, pulsed laser deposition, ZnO, Si substrate, lift-off, [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics]
Subject Geographic: San Francisco, United States
Relation: hal-00554294; https://hal.science/hal-00554294; https://hal.science/hal-00554294/document; https://hal.science/hal-00554294/file/Ougazzaden2010.pdf
Authors: Goh, W.H., Patriarche, G., Bonanno, P.L., Gautier, S., Moudakir, T., Abid, M., Orsal, G., Sirenko, A.A., Cai, Z.-H., Martinez, A., Ramdane, A., Le Gratiet, L., Troadec, David, Soltani, A., Ougazzaden, A.
Contributors: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (LMOPS), CentraleSupélec-Université de Lorraine (UL), Advanced Photon Source ANL (APS), Argonne National Laboratory Lemont (ANL)-University of Chicago-US Department of Energy, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
Superior Title: ISSN: 0022-0248 ; Journal of Crystal Growth ; https://hal.science/hal-00554254 ; Journal of Crystal Growth, 2011, 315 (1), pp.160-163. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2010.08.053⟩.
Subject Terms: Nanostructures, Metalorganic vapor phase epitaxy, Selective area growth, Nitrides, Semiconducting III–V materials, [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics]
Relation: hal-00554254; https://hal.science/hal-00554254; https://hal.science/hal-00554254/document; https://hal.science/hal-00554254/file/Goh2010.pdf
Authors: Sundaram, Suresh, Li, Xin, Alam, Saiful, Ayari, Taha, Halfaya, Yacine, Patriarche, Gilles, Voss, Paul, B, Salvestrini, Jean-Paul, Ougazzaden, Abdallah
Contributors: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Université de Lorraine (UL), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Smith College, Picker Engineering Program, Northampton
Superior Title: ISSN: 0022-0248 ; Journal of Crystal Growth ; https://hal.science/hal-02282679 ; Journal of Crystal Growth, 2019, 507, pp.352-356. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2018.10.060⟩.
Subject Terms: A3. Metalorganic vapor phase epitaxy, B1. 2D materials, B1. h-BN B1. AlGaN MQWs, B2. Deep UV LEDs, B1. Nitrides, [PHYS.MECA.MEMA]Physics [physics]/Mechanics [physics]/Mechanics of materials [physics.class-ph]
Relation: hal-02282679; https://hal.science/hal-02282679
Authors: Sundaram, Suresh, Li, Xin, Halfaya, Yacine, Ayari, Taha, Patriarche, Gilles, Bishop, Christopher, Alam, Saiful, Gautier, Simon, Voss, Paul, B, Salvestrini, Jean-Paul, Ougazzaden, Abdallah
Contributors: Université de Lorraine (UL), Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Smith College, Picker Engineering Program, Northampton
Superior Title: ISSN: 2196-7350 ; Advanced Materials Interfaces ; https://hal.science/hal-02282666 ; Advanced Materials Interfaces, 2019, 6 (16), pp.1970102. ⟨10.1002/admi.201970102⟩.
Subject Terms: 2D boron nitride, core/shell nanostructures, flexible electronics, nanorods, semiconductors, van der Waals epitaxy, [PHYS.MECA.MEMA]Physics [physics]/Mechanics [physics]/Mechanics of materials [physics.class-ph]
Relation: hal-02282666; https://hal.science/hal-02282666
Contributors: Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (UMR 6174) (FEMTO-ST), Université de Technologie de Belfort-Montbeliard (UTBM)-Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques (ENSMM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (LMOPS), CentraleSupélec-Université de Lorraine (UL), Institut Jean Lamour (IJL), Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Université de Lorraine (UL)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-16-CE24-0022,Lilit,Intégration de LiNbO3 à la technologie de silicium pour des filtres RF ultra-large bande et haute fréquence(2016), ANR-12-JS04-0008,LiLa,Stœchiométrie, Structure et Ingénierie des Contraintes dans les Couches Minces de LiNbO3 and LiTaO3 déposées par PI MOCVD(2012), ANR-11-LABX-0001,ACTION,Systèmes intelligents intégrés au cœur de la matière(2011), ANR-10-LABX-0048,FIRST-TF,Network of Facilities for Innovation, Research, Services and Training in Time & Frequency(2010)
Superior Title: ISSN: 2196-7350 ; Advanced Materials Interfaces ; https://centralesupelec.hal.science/hal-02432415 ; Advanced Materials Interfaces, 2017, 4 (8), pp.1600998. ⟨10.1002/admi.201600998⟩.
Subject Terms: acoustic properties, epitaxy, LiNbO3, LiTaO3, optical properties, [SPI]Engineering Sciences [physics]
Relation: hal-02432415; https://centralesupelec.hal.science/hal-02432415
Authors: Ayari, Taha, Sundaram, Suresh, Li, Xin, El Gmili, Youssef, Voss, Paul, B, Salvestrini, Jean-Paul, Ougazzaden, Abdallah
Contributors: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), School of Instrumentation Science and Opto-electronics Engineering Beijing, Beihang University (BUAA), Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (LMOPS), CentraleSupélec-Université de Lorraine (UL), IMPACT N4S, ANR-15-IDEX-0004,LUE,Isite LUE(2015)
Superior Title: ISSN: 0003-6951.
Subject Terms: Crystallography, Epitaxy, Semiconductor device fabrication, Atomic force microscopy, Electroluminescence, Atomic and molecular spectra, Luminescence, Quantum wells, X-ray diffraction, Semiconductor materials, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Relation: hal-02385100; https://hal.science/hal-02385100
Authors: Halfaya, Yacine
Contributors: Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Université de Lorraine, Abdallah Ougazzaden
Superior Title: https://hal.univ-lorraine.fr/tel-02985765 ; Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]. Université de Lorraine, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LORR0312⟩.
Subject Terms: Gas sensors, Hemt transistor, Gallium nitride semiconductor, Epitaxy, Polluants d'échappement, Capteurs de gaz pour NOx et NH3, III-Nitrure, Sélectivité, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: NNT: 2016LORR0312; tel-02985765; https://hal.univ-lorraine.fr/tel-02985765; https://hal.univ-lorraine.fr/tel-02985765/document; https://hal.univ-lorraine.fr/tel-02985765/file/DDOC_T_2016_0312_HALFAYA.pdf
Availability:
https://hal.univ-lorraine.fr/tel-02985765
https://hal.univ-lorraine.fr/tel-02985765/document
https://hal.univ-lorraine.fr/tel-02985765/file/DDOC_T_2016_0312_HALFAYA.pdf
Authors: Ben Sedrine, N., Gharbi, T., Harmand, J.C., Chtourou, R.
Contributors: Ctr Rech & Technol Energie, Lab Photovolta & Semicond, CRTE, Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (UMR 6174) (FEMTO-ST), Université de Technologie de Belfort-Montbeliard (UTBM)-Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques (ENSMM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Superior Title: ISSN: 0031-8965.
Subject Terms: MOLECULAR-BEAM EPITAXY, INP, SPECTRA, LAYERS, SI, [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics]
Relation: hal-00362866; https://hal.science/hal-00362866