Search Results - EPITAXY

Superior Title: Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 1, № 5 (97) (2019): Прикладна фізика; 13-19 ; Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 1, № 5 (97) (2019): Прикладная физика; 13-19 ; Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 1, № 5 (97) (2019): Applied physics; 13-19 ; 1729-4061 ; 1729-3774

Subject Terms: complementary structures, low-temperature epitaxy, integrated circuits, buffer layer, magnetron deposition, UDC 621.382.621.3.049, комплементарные структуры, эпитаксия, интегральные схемы, буферный слой, магнетронного осаждения, комплементарні структури, низькотемпературна епітаксія, інтегральні схеми, буферний шар, магнетронне осадження

File Description: application/pdf

Relation: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/157212/157232; http://journals.uran.ua/eejet/article/view/157212/159874; http://journals.uran.ua/eejet/article/view/157212

Availability: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/157212

4

Academic Journal

Simulation of the Inversion of the Aluminum Profile Gradient at Liquid Phase Epitaxy of GaAl(P, As, Sb) Heterostructures ; Моделирование явления инверсии градиента профиля алюминия при жидкофазной эпитаксии гетероструктур GaAl(P,As,Sb) ; Моделювання явища інверсії градієнта профілю алюмінію при рідиннофазній епитаксії гетероструктур GaAl(P,As,Sb)

Authors: Dombrougov, Mikhail Removych

Superior Title: Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 24, № 1 (2019); 6 - 14 ; Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 24, № 1 (2019); 6 - 14 ; Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 24, № 1 (2019); 6 - 14 ; 2523-4455 ; 2523-4447

Subject Terms: Technique, Microelectronics, liquid phase epitaxy, forced cooling, solid solutions А3В5, Ga-Al-P, Ga-Al-As, Ga-Al-Sb, inverse curve, planar waveguide structures, 621.315.592, Техника, Микроэлектроника, жидкофазная эпитаксия, принудительное охлаждение, твердые растворы А3В5, инверсная кривая, планарные волноводные структуры, УДК 621.315.592, Мікроелектроніка, Техніка, рідиннофазна епітаксія, примусове охолодження, тверді розчини А3В5, інверсна крива, планарні хвилеводні структури

Subject Geographic: Microelectronics, Микроэлектроника, Мікроелектроніка

File Description: application/pdf

Relation: http://elc.kpi.ua/article/view/160164/171350; http://elc.kpi.ua/article/downloadSuppFile/160164/7404; http://elc.kpi.ua/article/view/160164

Availability: http://elc.kpi.ua/article/view/160164

5

Academic Journal

Influence of processes occurring in carbon-containing environment on a solid phase autopitaxy of diamond ; Влияние процессов, происходящих в углеродсодержащей среде на твердофазную автоэпитаксию алмаза ; Вплив процесів, що відбуваються у вуглецевмісному середовищі, на твердофазну автоепітаксію алмаза

Authors: Soboliev, V. V., Hubenko, S. I.

Superior Title: Metal Science and Heat Treatment of Metals; No. 4 (2018): Metal Science and Heat Treatment of Metals; 54-60 ; Металловедение и термическая обработка металлов; № 4 (2018): Металловедение и термическая обработка металлов; 54-60 ; Металознавство та термічна обробка металів; № 4 (2018): Металознавство та термічна обробка металів; 54-60 ; 2413-7405

Subject Terms: алмаз, твердофазная автоэпитаксия, чугун, физические поля, ростовая среда, твердофазна автоепітаксія, чавун, фізичні поля, ростове середовище, diamond, solid-phase auto-epitaxy, cast iron, physical fields, growth medium

File Description: application/pdf

Relation: http://mtom.pgasa.dp.ua/article/view/193960/194153; http://mtom.pgasa.dp.ua/article/view/193960

Availability: http://mtom.pgasa.dp.ua/article/view/193960

6

Academic Journal

Development of technology of superconducting multilevel wiring in speed GaAs structures of LSI/VLSI ; Розробка технології надпровідної багаторівневої розводки в швидкісних GaAs-структурах ВІС/НВІС ; Разработка технологии сверхпроводящей многоуровневой разводки в скоростных GaAs структурах БИС/СБИС

Authors: Novosiadlyi, Stepan, Kotyk, Myhaylo, Dzundza, Bogdan, Gryga, Volodymyr, Novosiadlyi, Sviatoslav, Mandzyuk, Volodymyr

Superior Title: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 1, № 5 (91) (2018): Applied physics; 53-62 ; Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 1, № 5 (91) (2018): Прикладная физика; 53-62 ; Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 1, № 5 (91) (2018): Прикладна фізика; 53-62 ; 1729-4061 ; 1729-3774

Subject Terms: complementary structures, epitaxy, integrated circuits, carbon films, superconductivity, magnetron deposition, UDC 621.382.621.3.049, комплементарні структури, епітаксія, інтегральні схеми, карбонові плівки, надпровідність, магнетронне осадження, комплементарные структуры, эпитаксия, интегральные схемы, сверхпроводимость, магнетронное осаждение

File Description: application/pdf

Relation: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/123143/119418; http://journals.uran.ua/eejet/article/view/123143/128351; http://journals.uran.ua/eejet/article/view/123143

Availability: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/123143

7

Academic Journal

Development of diode temperature sensors with operating range up to 750 K ; Розробка діодних сенсорів температури з діапазоном експлуатації до 750 К ; Разработка диодных сенсоров температуры с диапазоном эксплуатации до 750 К

Authors: Krasnov, Vasily, Yerochin, Sergey, Demenskyi, Oleksii, Krapyvko, Gennadii

Superior Title: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 3, № 5 (93) (2018): Applied physics; 19-25 ; Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 3, № 5 (93) (2018): Прикладная физика; 19-25 ; Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 3, № 5 (93) (2018): Прикладна фізика; 19-25 ; 1729-4061 ; 1729-3774

Subject Terms: diode temperature sensors, diode thermometry, thermometric characteristic, thermal sensitivity, liquid-phase epitaxy, UDC 621.382.2, діодні сенсори температури, діодна термометрія, термометрична характеристика, термочутливість, рідиннофазна епітаксія, диодные сенсоры температуры, диодная термометрия, термометрическая характеристика, термочувствительность, жидкофазная эпитаксия

File Description: application/pdf

Relation: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/133811/134005; http://journals.uran.ua/eejet/article/view/133811

Availability: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/133811

8

Academic Journal

Формування карбонових плівок як підзатворного діелектрика GaAs мікросхем на Si-підкладках ; Formation of carbon films as the subgate dielectric of GaAs microcircuits on Si-substrates ; Формирования карбоновых пленок как подзатворного диэлектрика GaAs микросхем на Si-подложках

Authors: Novosiadlyi, Stepan, Kotyk, Myhaylo, Dzundza, Bogdan, Gryga, Volodymyr, Novosiadlyi, Svyatoslav, Mandzyuk, Volodymyr

Superior Title: Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 5, № 5 (89) (2017): ПРИКЛАДНА ФІЗИКА; 26-34 ; Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 5, № 5 (89) (2017): ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА; 26-34 ; Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 5, № 5 (89) (2017): APPLIED PHYSICS; 26-34 ; 1729-4061 ; 1729-3774

Subject Terms: комплементарні структури, гетероструктури, епітаксія, інтегральні схеми, технологічні особливості, карбонові плівки, complementary structures, heterostructures, epitaxy, integrated circuits, technological features, carbon films, UDC 621.382.621.3.049, комплементарные структуры, гетероструктуры, эпитаксия, интегральные схемы, технологические особенности

File Description: application/pdf

Relation: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/112289/108015; http://journals.uran.ua/eejet/article/view/112289/213147; http://journals.uran.ua/eejet/article/view/112289

Availability: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/112289

9

Academic Journal

Research into constructive and technological features of epitaxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates ; Дослідження конструктивно-технологічних особливостей формування епітаксійних арсенід-галієвих структур на кремнієвих підкладках ; Исследование конструктивно-технологических особенностей формирования эпитаксиальных арсенид-галиевых структур на кремниевых подложках

Authors: Novosyadlyj, Stepan, Dzundza, Bogdan, Gryga, Volodymyr, Novosyadlyj, Svyatoslav, Kotyk, Mykhailo, Mandzyuk, Volodymyr

Superior Title: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 3, № 5 (87) (2017): Applied physics; 54-61 ; Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 3, № 5 (87) (2017): Прикладная физика; 54-61 ; Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 3, № 5 (87) (2017): Прикладна фізика; 54-61 ; 1729-4061 ; 1729-3774

Subject Terms: complementary structures, semiconductors, epitaxy, integrated circuits, technological features, UDC 621.382.621.3.049, комплементарні структури, напівпровідники, епітаксія, інтегральні схеми, технологічні особливості, комплементарные структуры, полупроводники, эпитаксия, интегральные схемы, технологические особенности

File Description: application/pdf

Relation: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/104563/100833; http://journals.uran.ua/eejet/article/view/104563

Availability: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/104563

10

Academic Journal

Nanoheteroepitaxial structures with quantum dots obtained by liquid-phase epitaxy based on GaP ; Наногетероэпитаксиальные структуры с квантовыми точками, полученные методом жидкофазной эпитаксии на основе GaP ; Наногетероепітаксіальние структури з квантовими точками, отримані методом рідиннофазної епітаксії на основі GaP

Authors: Бондарец, С.В., Биковский, С.Ю., Марончук, І.Е., Марончук, І.І., Петраш, А.Н., Смірнов, С.Б., Санікович, Д.Д.

Superior Title: Electronics and Communications; Vol. 16 No. 4 (2011); 15-20 ; Электроника и Связь; Том 16 № 4 (2011); 15-20 ; Електроніка та Зв'язок; Том 16 № 4 (2011); 15-20 ; 2312-1807 ; 1811-4512

Subject Terms: наногетероепітаксіальние структури, квантові точки, рідиннофазної епітаксії, імпульсна охолодження і нагрівання підкладки, аногетероэпитаксиальные структуры, квантовые точки, жидкофазная эпитаксия, импульсное охлаждение и нагревание подложки, nanoheteroepitaxial structures, quantum dots, liquid-phase epitaxy, pulse cooling and heating the substrate

File Description: application/pdf

Relation: http://elc.kpi.ua/old/article/view/242710/240624; http://elc.kpi.ua/old/article/view/242710

Availability: http://elc.kpi.ua/old/article/view/242710

11

Academic Journal

Modeling the influence of template dimensions on dislocations nanostructures during selective epitaxy of III-nitrides ; Моделирование влияния темплетных размеров на дислокационность наноструктур при селективной эпитаксии ІІІ-нитридов ; Моделювання впливу темплетних розмірів на дислокаційність наноструктур при селективній епітаксії ІІІ-нітридів

Authors: Ляхова, Н.О.

Superior Title: Electronics and Communications; Vol. 16 No. 3 (2011); 39-43 ; Электроника и Связь; Том 16 № 3 (2011); 39-43 ; Електроніка та Зв'язок; Том 16 № 3 (2011); 39-43 ; 2312-1807 ; 1811-4512 ; 10.20535/2312-1807.2011.16.3

Subject Terms: дислокації, наноструктури, GaN, селективна епітаксія, III - нітриди, dislocation, nanostructures, selective epitaxy, III – nitrides, дислокации, наноструктуры, селективная эпитаксия, III - нитриды

File Description: application/pdf

Relation: http://elc.kpi.ua/old/article/view/264219/264853; http://elc.kpi.ua/old/article/view/264219

Availability: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.3
http://elc.kpi.ua/old/article/view/264219

Narrow Search