Authors: Zaiter, Aly, Nikitskiy, Nikita, Nemoz, Maud, Vuong, Phuong, Ottapilakkal, Vishnu, Sundaram, Suresh, Ougazzaden, Abdallah, Brault, Julien
Contributors: Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)
Superior Title: ISSN: 2079-4991.
Subject Terms: deep ultra-violet emission molecular beam epitaxy nitrides wide bandgap materials boron nitride aluminium gallium nitride quantum dots X-ray diffraction photoluminescence atomic force microscopy, deep ultra-violet emission, molecular beam epitaxy, nitrides, wide bandgap materials, boron nitride, aluminium gallium nitride, quantum dots, X-ray diffraction, photoluminescence, atomic force microscopy, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics]
Relation: hal-04234489; https://hal.science/hal-04234489; https://hal.science/hal-04234489/document; https://hal.science/hal-04234489/file/%282023%29-nanomaterials-13-02404-v2.pdf
Authors: Sthioul, C., Koussir, H., Chernukha, Y., Chapuis, N., Haber, E., Roussel, Pascal, Coinon, Christophe, Diener, Pascale, Grandidier, B., Wallart, Xavier
Contributors: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN (EPIPHY - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 (UCCS), Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF - IEMN), Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), NANODYN - ANR-21-CE24-0001 AAPG2021 - 2021TUNNE2D - ANR-21-CE24-0030 AAPG2021 - 2021, Renatech Network, PCMP PCP, CMNF, ANR-21-CE24-0030,TUNNE2D,Diodes tunnel miniaturisables à base de matériaux 2D(2021), ANR-21-CE24-0001,NANODYN,Transition de Mott hors équilibre pour la Nanoélectronique(2021)
Superior Title: Colloque du GDR/GDR-I HOWDI ; https://hal.science/hal-04118157 ; Colloque du GDR/GDR-I HOWDI, May 2023, Porquerolles, France. ; https://howdi2023.sciencesconf.org/
Subject Terms: Molecular beam epitaxy, TaSe2, GaP(111)B, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Subject Geographic: Porquerolles, France
Relation: hal-04118157; https://hal.science/hal-04118157; https://hal.science/hal-04118157/document; https://hal.science/hal-04118157/file/Poster%20GdR%20HOWDI%202023.pdf
Availability:
https://hal.science/hal-04118157
https://hal.science/hal-04118157/document
https://hal.science/hal-04118157/file/Poster%20GdR%20HOWDI%202023.pdf
Authors: Dudko, Iuliia, Dursap, Thomas, Lamirand, Anne, Botella, Claude, Regreny, Philippe, Danescu, Alexandre, Brottet, Solène, Bugnet, Matthieu, Walia, Sumeet, Chauvin, Nicolas, Penuelas, Jose
Contributors: INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Royal Melbourne Institute of Technology University (RMIT University), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Matériaux, ingénierie et science Villeurbanne (MATEIS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), GdR MatÉpi, ANR-10-LABX-0064,Imust,Institut for Multiscale Science and Technology : from Fundamental Physics and Chemistry to Engineering in New Material and Processes and Ecotechnologies(2010), ANR-17-CE30-0014,HEXSIGE,Propriétés de la phase hexagonale 2H du Ge et Si(2017), European Project: ECLAUSion
Superior Title: Conférence GdR MatÉpi ; https://hal.science/hal-04155534 ; Conférence GdR MatÉpi, GdR MatÉpi, Jul 2023, Paris, France
Subject Terms: Semiconductor Nanowires, Hexagonal Germanium, Molecular Beam Epitaxy, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-04155534; https://hal.science/hal-04155534; https://hal.science/hal-04155534/document; https://hal.science/hal-04155534/file/PENUELAS_Jos%C3%A9_Axe_5.pdf
Availability:
https://hal.science/hal-04155534
https://hal.science/hal-04155534/document
https://hal.science/hal-04155534/file/PENUELAS_Jos%C3%A9_Axe_5.pdf
Authors: Gilbert, Audrey, Ramonda, Michel, Cerutti, Laurent, Cornet, Charles, Patriarche, Gilles, Tournié, Éric, Rodriguez, Jean‐baptiste
Contributors: Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM), Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM), Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Matériaux (MAT), French Renatech network, ANR-20-CE92-0045,FILTER,Nouvelles stratégies pour la réduction de la densité de dislocations en épitaxie de III-V sur Silicium(2020), ANR-21-CE09-0020,PIANIST,Propriétés physiques de matériaux hybrides semi-métal/semi-conducteur III-V/Si(2021), ANR-21-CE24-0006,NUAGES,Nucléation et croissance de III-V sur Si explorées in situ(2021)
Superior Title: ISSN: 2195-1071 ; Advanced Optical Materials ; https://hal.science/hal-04107444 ; Advanced Optical Materials, 2023, ⟨10.1002/adom.202203050⟩.
Subject Terms: Semiconductor, III-V on Si, Molecular beam epitaxy, Gallium Arsenide, Antiphase domains, [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic
Relation: hal-04107444; https://hal.science/hal-04107444; https://hal.science/hal-04107444/document; https://hal.science/hal-04107444/file/Advanced%20Optical%20Materials%20-%202023%20-%20Gilbert%20-%20Epitaxial%20Growth%20of%20III%E2%80%90Vs%20on%20On%E2%80%90Axis%20Si%20%20Breaking%20the%20Symmetry%20for%20Antiphase%20%281%29.pdf
Availability:
https://doi.org/10.1002/adom.202203050
https://hal.science/hal-04107444
https://hal.science/hal-04107444/document
https://hal.science/hal-04107444/file/Advanced%20Optical%20Materials%20-%202023%20-%20Gilbert%20-%20Epitaxial%20Growth%20of%20III%E2%80%90Vs%20on%20On%E2%80%90Axis%20Si%20%20Breaking%20the%20Symmetry%20for%20Antiphase%20%281%29.pdf
Authors: Kounta, Ismaïla, Reichlova, Helena, Kriegner, Dominik, Lopes Seeger, Rafael, Bad'Ura, Antonin, Leiviska, Miina, Boussadi, Amine, Heresanu, Vasile, Bertaina, Sylvain, Petit, Matthieu, Schmoranzerova, Eva, Smejkal, Libor, Sinova, Jairo, Jungwirth, Tomas, Baltz, Vincent, Goennenwein, Sebastian, T B, Michez, Lisa
Contributors: Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille (CINaM), Aix Marseille Université (AMU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Aix Marseille Université (AMU), Institut für Festkörper- und Materialphysik, Technische Universität Dresden, Technische Universität Dresden = Dresden University of Technology (TU Dresden), Dresden-Würzburg Center of Excellence on Complexity and Topology in Quantum Matte (ct.qmat), Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences (FZU / CAS), Czech Academy of Sciences Prague (CAS), SPINtronique et TEchnologie des Composants (SPINTEC), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA), Faculty of Mathematics and Physics Charles University of Praha, Charles University Prague (CU), Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Polytech Marseille (AMU POLYTECH), Institut für Physik Johannes Gutenberg Universität, Johannes Gutenberg - Universität Mainz = Johannes Gutenberg University (JGU), University of Nottingham, UK (UON), Fachbereich Physik, Universität Konstanz, Universitätsstraße 10, D-78453 Konstanz, Germany ( Fachbereich Physik, Universität Konstanz), Fachbereich Physik, Universität Konstanz, GACR Grant No. 22-17899K, Lumina Quaeruntur fellowship of the Czech Academy of Science (Grant No. LQ100102201), Elasto-Q-Mat (DFG SFB TRR 288), ANR-20-CE92-0049,MATHEEIAS,Effets magnéto-thermo-électriques en électronique de spin antiferromagnétique(2020)
Superior Title: ISSN: 2475-9953 ; Physical Review Materials ; https://amu.hal.science/hal-04009609 ; Physical Review Materials, 2023, 7 (2), pp.024416. ⟨10.1103/PhysRevMaterials.7.024416⟩ ; https://journals-aps.org/prmaterials/abstract/10.1103/PhysRevMaterials.7.024416.
Subject Terms: MBE - Molecular Beam Epitaxy, Antiferromagnetism, Mn5Si3, Spintronics, Interface & surface thermodynamics, Anomalous hall effect, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-04009609; https://amu.hal.science/hal-04009609; https://amu.hal.science/hal-04009609/document; https://amu.hal.science/hal-04009609/file/Kounta_PRMat_23.pdf
Authors: Zaiter, Aly, Michon, Adrien, Nemoz, Maud, Courville, Aimeric, Vennéguès, Philippe, Ottapilakkal, Vishnu, Vuong, Phuong, Sundaram, Suresh, Ougazzaden, Abdallah, Brault, Julien
Contributors: Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), Georgia Tech Lorraine Metz, Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology Atlanta -Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté COMUE (UBFC), Georgia Institute of Technology Atlanta, ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)
Superior Title: ISSN: 1996-1944 ; Materials ; https://hal.science/hal-04234450 ; Materials, 2022, 15 (23), pp.8602. ⟨10.3390/ma15238602⟩.
Subject Terms: molecular beam epitaxy nitrides wide bandgap materials aluminum nitride boron nitride postgrowth annealing X-ray diffraction atomic force microscopy transmission electron microscopy, molecular beam epitaxy, nitrides, wide bandgap materials, aluminum nitride, boron nitride, postgrowth annealing, X-ray diffraction, atomic force microscopy, transmission electron microscopy, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-04234450; https://hal.science/hal-04234450; https://hal.science/hal-04234450/document; https://hal.science/hal-04234450/file/%282022%29-materials-15-08602-v3.pdf
Authors: Guerboukha, Mohamed-Amine, Petit, Matthieu, Spiesser, Aurélie, Portavoce, Alain, Abbes, Omar, Heresanu, Vasile, Bertaina, Sylvain, Coudreau, Cyril, Michez, Lisa
Contributors: Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille (CINaM), Aix Marseille Université (AMU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Polytech Marseille (AMU POLYTECH), Aix Marseille Université (AMU), Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), PICS n°200835 TRANPOLSPIN (CINaM-CNRS/AIST)
Superior Title: ISSN: 0040-6090 ; Thin Solid Films ; https://hal.science/hal-04272525 ; Thin Solid Films, 2022, 761, pp.139523. ⟨10.1016/j.tsf.2022.139523⟩.
Subject Terms: Thin film, Germanide, Phase formation, epitaxy, Molecular beam epitaxy, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-04272525; https://hal.science/hal-04272525; https://hal.science/hal-04272525/document; https://hal.science/hal-04272525/file/revised_v2b.pdf
Authors: Guerboukha, Mohamed-Amine, Petit, Matthieu, Spiesser, Aurélie, Portavoce, Alain, Abbes, Omar, Heresanu, Vasile, Bertaina, Sylvain, Coudreau, Cyril, Michez, Lisa
Contributors: Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ISEN Toulon, Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN), Aix Marseille Université (AMU), Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille (CINaM), Aix Marseille Université (AMU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)
Superior Title: ISSN: 0040-6090 ; Thin Solid Films ; https://amu.hal.science/hal-03812158 ; Thin Solid Films, 2022, 761, pp.139523. ⟨10.1016/j.tsf.2022.139523⟩.
Subject Terms: Thin film, Germanide, Phase formation, Epitaxy, Molecular beam epitaxy, Mn5Ge3, Mn11Ge8, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-03812158; https://amu.hal.science/hal-03812158; https://amu.hal.science/hal-03812158/document; https://amu.hal.science/hal-03812158/file/revised_v2b.pdf
Authors: Bucamp, Alexandre, Coinon, Christophe, Lepilliet, Sylvie, Troadec, David, Patriarche, Gilles, Diallo, M, Avramovic, Vanessa, Haddadi, Kamel, Wallart, X., Desplanque, L.
Contributors: EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN (EPIPHY - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF - IEMN), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN (CSAM - IEMN ), This work was partly supported by the French Renatech network, the European Community, the Région Hauts de France and the Agence Nationale pour la Recherche for funding the Titan Themis microscope through the EQUIPEX TEMPOS (10-EQPX-0050)., Renatech Network, PCMP CHOP, CMNF, ANR-10-EQPX-0050,TEMPOS,Microscopie electronique en transmission sur le plateau Palaiseau Orsay Saclay(2010)
Superior Title: ISSN: 0957-4484.
Subject Terms: selective area growth, molecular beam epitaxy, in-plane nanowire, Esaki tunnel diodes, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Relation: hal-03547003; https://hal.science/hal-03547003; https://hal.science/hal-03547003/document; https://hal.science/hal-03547003/file/Manuscript%20In-plane%20tunnel%20diodes%20by%20SAG.docx.pdf
Authors: Brault, Julien, Al khalfioui, Mohamed, Leroux, Mathieu, Matta, Samuel, Ngo, Thi-Huong, Zaiter, Aly, Courville, Aimeric, Damilano, Benjamin, Chenot, Sébastien, Duboz, Jean-Yves, Massies, Jean, Valvin, Pierre, Gil, Bernard
Contributors: Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (. - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), Laboratoire Charles Coulomb (L2C), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Superior Title: Gallium Nitride Materials and Devices XVI ; SPIE OPTO ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03366593 ; SPIE OPTO, Mar 2021, Online Only, United States. pp.16, ⟨10.1117/12.2576135⟩
Subject Terms: External Quantum Efficiency, Quantum Dots, Molecular Beam Epitaxy, Deep UV, AlGaN, LED, Nitride semiconductors, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Subject Geographic: Online Only, United States
Relation: hal-03366593; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03366593; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03366593/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03366593/file/DUV%20LEDs%20based%20on%20AlGaN%20Quantum%20Dots%20in%20AlGaN_J%20Brault.pdf
Authors: Magnifouet, G, Vallet, M, Meslin, E, Walls, M, Bouillet, C, Arabski, J, Pierron-Bohnes, V
Contributors: Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg (IPCMS), Université de Strasbourg (UNISTRA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Matériaux et Nanosciences Grand-Est (MNGE), Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Réseau nanophotonique et optique, Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Service de recherches de métallurgie physique (SRMP), Département des Matériaux pour le Nucléaire (DMN), CEA-Direction des Energies (ex-Direction de l'Energie Nucléaire) (CEA-DES (ex-DEN)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-CEA-Direction des Energies (ex-Direction de l'Energie Nucléaire) (CEA-DES (ex-DEN)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay, Laboratoire de Physique des Solides (LPS), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Renatech Network, ANR-16-CE92-0002,MAGIKID,Magnétisme dans les alliages à base de fer: thermodynamique, cinétique et défauts(2016), European Project: 823717,ESTEEM3
Superior Title: https://hal.science/hal-03871361 ; 2022.
Subject Terms: thin films, superlattices, FeCr, residual strains, epitaxy dislocations, molecular beam epitaxy, x-ray diffraction, scanning transmission electron microscopy, electron energy loss spectroscopy, atom probe tomography 68.65.Cd (Superlattices), 68.37.−d (Microscopy of surfaces, interfaces, and thin films), 61.72.Ff, [PHYS]Physics [physics]
Relation: info:eu-repo/grantAgreement//823717/EU/Enabling Science and Technology through European Electron Microscopy/ESTEEM3; hal-03871361; https://hal.science/hal-03871361; https://hal.science/hal-03871361/document; https://hal.science/hal-03871361/file/Strains%20in%20Fe%2030-9-22-MW.pdf
Availability:
https://hal.science/hal-03871361
https://hal.science/hal-03871361/document
https://hal.science/hal-03871361/file/Strains%20in%20Fe%2030-9-22-MW.pdf
Authors: Nemoz, M., Semond, F., RENNESSON, S., Leroux, M., Bouchoule, S., Patriarche, G., Zuniga-perez, J.
Contributors: Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (. - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA)
Superior Title: ISSN: 0749-6036.
Subject Terms: B1. Nitrides, B2. Semiconducting III-V materials, A3. Molecular beam epitaxy, A1. Diffusion, A1. High resolution X-ray diffraction, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-03357724; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03357724; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03357724/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03357724/file/ForHal_SuperlatticesMicrostructure.pdf
Authors: Gay, Maxime, Dau, Minh-Tuan, Vergnaud, Céline, Marty, Alain, Bonell, Frédéric, Boukari, Hervé, Paillet, Colin, Hyot, Bérangère, Okuno, Hanako, Mallet, Pierre, Veuillen, Jean-Yves, Renault, Olivier, Jamet, Matthieu
Contributors: Institut Néel (NEEL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA)
Superior Title: ISSN: 1631-0705 ; Comptes Rendus Physique ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03374980 ; Comptes Rendus Physique, Centre Mersenne, 2021, 22 (S4), pp.1-17. ⟨10.5802/crphys.69⟩.
Subject Terms: Scanning tunneling microscopy, Magnetic doping, Transmission electron microscopy, 2D materials, Molecular beam epitaxy, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-03374980; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03374980; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03374980/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03374980/file/Mn%20doped%20MoSe2%20CRAS21.pdf
Contributors: Semi-conducteurs à large bande interdite (NEEL - SC2G), Institut Néel (NEEL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA), Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée (LEMMA ), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA), Institut Universitari de Ciencia dels Materials (ICMUV), Universitat de València (UV), Nanophysique et Semiconducteurs (NPSC), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS)
Superior Title: ISSN: 0003-6951.
Subject Terms: Aluminum nitride, nanowires, molecular beam epitaxy, doping, electrical characterization, current-voltage measurements, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-03523128; https://hal.science/hal-03523128; https://hal.science/hal-03523128/document; https://hal.science/hal-03523128/file/SiAlN_Manuscript_Revised.pdf
Contributors: Semi-conducteurs à large bande interdite (SC2G), Institut Néel (NEEL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA), Nanophysique et Semiconducteurs (NPSC), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS), Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA), Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée (LEMMA ), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Institut Universitari de Ciencia dels Materials (ICMUV), Universitat de València (UV)
Superior Title: ISSN: 0003-6951.
Subject Terms: Aluminum nitride, nanowires, molecular beam epitaxy, doping, electrical characterization, current -voltage measurements, [PHYS]Physics [physics]
Relation: hal-03686341; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03686341; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03686341/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03686341/file/SiAlN_Manuscript_Revised.pdf
Authors: Chauvin, Nicolas, Dudko, Iuliia, Jaffal, Ali, Dursap, Thomas, Lamirand, Anne, Botella, Claude, Regreny, Philippe, Nguyen, Hai Son, Danescu, Alexandre, Brottet, Solène, Bugnet, Matthieu, Walia, Sumeet, Gendry, Michel, Penuelas, Jose
Contributors: INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Royal Melbourne Institute of Technology University (RMIT University), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), INL - Ingénierie et conversion de lumière (i-Lum) (INL - I-Lum), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Matériaux, ingénierie et science Villeurbanne (MATEIS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), ANR-10-LABX-0064,Imust,Institut for Multiscale Science and Technology : from Fundamental Physics and Chemistry to Engineering in New Material and Processes and Ecotechnologies(2010), ANR-17-CE30-0014,HEXSIGE,Propriétés de la phase hexagonale 2H du Ge et Si(2017), European Project: ECLAUSion
Superior Title: German-French-Korean Workshop on Nanophotonics 2023 ; https://hal.science/hal-04233525 ; German-French-Korean Workshop on Nanophotonics 2023, Oct 2023, Würzburg, Germany
Subject Terms: Semiconductor Nanowires, Hexagonal Germanium, Molecular Beam Epitaxy, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-04233525; https://hal.science/hal-04233525
Availability: https://hal.science/hal-04233525
Authors: Dudko, Iuliia, Dursap, Thomas, Lamirand, Anne, Botella, Claude, Regreny, Philippe, Danescu, Alexandre, Brottet, Solène, Bugnet, Matthieu, Walia, Sumeet, Chauvin, Nicolas, Penuelas, Jose
Contributors: INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Royal Melbourne Institute of Technology University (RMIT University), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Matériaux, ingénierie et science Villeurbanne (MATEIS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), ANR-10-LABX-0064,Imust,Institut for Multiscale Science and Technology : from Fundamental Physics and Chemistry to Engineering in New Material and Processes and Ecotechnologies(2010), ANR-17-CE30-0014,HEXSIGE,Propriétés de la phase hexagonale 2H du Ge et Si(2017), European Project: ECLAUSion
Superior Title: C'Nano 2023 ; https://hal.science/hal-04040670 ; C'Nano 2023, Mar 2023, Poitiers, France
Subject Terms: Semiconductor Nanowires, Hexagonal Germanium, Molecular Beam Epitaxy, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-04040670; https://hal.science/hal-04040670
Availability: https://hal.science/hal-04040670
Authors: Dudko, Iuliia, Dursap, Thomas, Lamirand, Anne, Botella, Claude, Regreny, Philippe, Danescu, Alexandre, Brottet, Solène, Bugnet, Matthieu, Walia, Sumeet, Chauvin, Nicolas, Penuelas, Jose
Contributors: INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Royal Melbourne Institute of Technology University (RMIT University), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Matériaux, ingénierie et science Villeurbanne (MATEIS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), ANR-10-LABX-0064,Imust,Institut for Multiscale Science and Technology : from Fundamental Physics and Chemistry to Engineering in New Material and Processes and Ecotechnologies(2010), ANR-17-CE30-0014,HEXSIGE,Propriétés de la phase hexagonale 2H du Ge et Si(2017), European Project: ECLAUSion
Superior Title: International workshop on hexagonal SiGe ; https://hal.science/hal-04061862 ; International workshop on hexagonal SiGe, Apr 2023, Eindhoven, Netherlands
Subject Terms: Semiconductor Nanowires, Hexagonal Germanium, Molecular Beam Epitaxy, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Subject Geographic: Eindhoven, Netherlands
Relation: hal-04061862; https://hal.science/hal-04061862
Availability: https://hal.science/hal-04061862
Authors: Bucamp, Alexandre, Coinon, Christophe, Troadec, David, Lépilliet, Sylvie, Patriarche, Gilles, Wallart, Xavier, Desplanque, Ludovic
Contributors: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF-IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Renatech Network, PCMP CHOP
Superior Title: ISSN: 1998-0124.
Subject Terms: molecular beam epitaxy, core-shell nanowire, selective area growth, effective electron mobility, [SPI]Engineering Sciences [physics]
Relation: hal-02974920; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02974920; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02974920/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02974920/file/Nano_Res_Bucamp%202019_revised.pdf
Authors: Sallet, Vincent, Deparis, Christiane, Patriarche, Gilles, Sartel, Corinne, Amiri, Gaelle, Chauveau, Jean-Michel, Morhain, Christian, Perez, Jesus Zuñiga
Contributors: Groupe d'Etude de la Matière Condensée (GEMAC), Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines (UVSQ)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (. - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Superior Title: ISSN: 0957-4484.
Subject Terms: core-shell heterostructures, transmission electron microscopy, molecular beam epitaxy, ZnO nanowires, surface diffusion, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Relation: hal-02915963; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02915963; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02915963/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02915963/file/2020%20Sallet%20Nanotechnology%20%20-R1%20-VF%20-pour%20HAL.pdf